Монокристалличность

Cтраница 2

Пленки были зеркально-гладкими с шероховатостью менее 0 1 мкм и практически повторяли шероховатость подложки. Монокристалличность пленок определялась электронографнчески. На рис. 2 представлена электронограмма пленки толщиной 0 4 мкм. [16]

Проверку германия на монокристалличность проводят без применения увеличительных приборов и без дополнительной обработки монокристаллов. [17]

Исследования кристаллической структуры пленок проводятся обычными методами: при помощи оптических и электронных микроскопов, снятием рентгенограмм и пр. Оптические методы позволяют определить степень монокристалличности, плотность дислокаций, дефектов роста в пленке, оценивать качество поверхности. Более детальное исследование возможно при помощи электронного микроскопа. Рентгеновские методы также позволяют определить степень кристаллического совершенства пленки. [18]

Основными параметрами исходных материалов для СИД являются степень монокристалличности, тип проводимости, удельное сопротивление, концентрация и подвижность носителей заряда, показатель поглощения света. Измерение параметров производится известными и полупроводниковой технике методами. [20]

С самого начала становления электроники, а затем и квантовой электроники, акусто - и оптоэлектроники различные диэлектрические, полупроводниковые, магнитные кристаллы стали основой большинства приборов и устройств. На первых порах основными требованиями к таким материалам были монокристалличность, отсутствие каких-либо заряженных дефектов, а для электро - и магнитоупорядоченных сред - монодоменность. В связи с этим были разработаны разнообразные способы мо-нодоменизации сегнетоэлектриков, а исследования магнетиков, как правило, проводились в таких магнитных полях, где устанавливалась однородная магнитная структура. [21]

Качество кремния устанавливается приемо-сдаточными испытаниями на соответствие параметров: монокристалличности и отсутствия внешних дефектов; типа проводимости; удельного сопротивления; длины диффузии неосновных носителей заряда для марок кремния с длиной диффузии более 0 2 мм; плотности дислокаций для марок кремния с плотностью дислокаций не более 104 см-г; нормы по МУГ; размеров слитка; массы слитка. [22]

Некоторые методы оптической диагностики. [23]

Изучая изменение яркости определенного рефлекса в зависимости от энергии падающего пучка электронов и температуры образца, можно получить информацию о поверхностных состояниях кристалла и определить среднеквадратичные смещения атомов на поверхности, которые ие совпадают с аналогичными свойствами твердого тела в объеме. Ясно, что если на поверхности имеются участки с нарушениями монокристалличности, то на них электроны будут рассеиваться некогереитно. Присутствие на поверхности чужеродных адсорбированных атомов либо групп атомов приводит к качественному изменению дифракционной картины: уменьшению яркости рефлексов, появлению новых рефлексов, присущих структуре адсорбированного слоя. [24]

Данные о поведении полиморфных модификаций при термическом воздействии ( полученные на порошках и на монокристаллах) сопоставлены с результатами исследований тех же превращений методом рентгеновской дифракции, в том числе для монокристаллов, прошедших через точку фазового перехода, со сканированием по образцу с пространственным разрешением 200 мкм. Выявлены как пространственная неоднородность превращения, так и сохранение в значительной степени монокристалличности образца даже после полиморфного превращения. [25]

Растворимость примесей в кремнии при различных температурах. [26]

Если эта диаграмма состояния имеет эвтектику, то высаживание монокристаллнческого слоя на границу кристалл - жидкая фаза можно проводить до температуры эвтектики, после чего жидкая капля застынет сразу, причем в отличие от предыдущего случая она будет представлять собой не свободный от полупроводника электродный материал, а эвтектическую смесь этого материала с германием или кремнием. При быстром охлаждении рекристаллизованный слой может содержать много структурных дефектов или вообще потерять монокристалличность, однако вблизи от границы, соответствующей наиболее глубокому вплавлению, всегда будет иметься достаточно совершенный монокристаллический рекристаллизованный слой некоторой толщины, так как вначале скорость охлаждения будет всегда возрастать от нуля. [27]

Схема печи МК-1. [28]

Измерение температуры или пол. Поэтому необходим механизм, который бы в нужный момент времени ввел термопары в тело слитка, не нарушая его роста и монокристалличности. Трудности заключались и в том, что германий обладает высокой химической активностью. [29]

При прямом исследовании твердых веществ, помимо требования гомогенности, важна техника подготовки проб. Это касается в первую очередь формы пробы, состояния ее поверхности ( шероховатость, полируемость, пористость, наличие загрязнений) и состояния упорядоченности элементарных единиц ( монокристалличность, поликристалличность, аморфно-стеклообразное или пластичное состояние), что имеет значение главным образом при структурном анализе. [30]

Страницы: 1 2 3 4