Моноокись - кремний
Cтраница 2
На свойства пленок моноокиси кремния существенно влияют условия осаждения. Так, плотность пленок, полученных при высоких скоростях осаждения ( 2 5 - 3 0 гам / с), превышает плотность чистой моноокиси кремния, а электронографический анализ таких пленок выявляет наличие твердого раствора кремния. [16]
Давление насыщенных паров моноокиси кремния при 1900 - 2000 С равно 1 атм. [17]
Керметы на основе системы моноокись кремния - хром обладают хорошими адгезионными свойствами, однородностью, стабильностью, высокой температуро-устойчивостью и хорошими механическими свойствами. Сопротивление пленки в широких пределах может варьироваться в зависимости от состава смеси. Наилучшие данные получены при 70 % хрома и 30 % моноокиси кремния. Для предотвращения агломерации к смеси обычно добавляют 0 5 % коллоидного раствора окиси кремния. Испарение смеси производится с вольфрамовой спирали при температуре 1300 - 1600 С на подложку, нагретую до 200 - 250 С. После напыления пленки ее нагревают в контролируемой среде при температуре 400 - 450 С для стабилизации параметров. [18]
При нагреве до 1700 моноокись кремния возгоняется, а при более высоких температурах - диссоциирует. [19]
Как отмечалось выше, моноокись кремния является пока наилучшим диэлектриком для пленочных конденсаторов. Используя эффективные методы контроля во время осаждения моноокиси кремния, удается получать конденсаторы на основе SiO с удельной емкостью до 10000 пФ / см2, с хорошими электрофизическими характеристиками. [20]
Для выяснения области устойчивости моноокиси кремния Брюер и Грин ( Brewer, Greene, 1957) изучили систему Si - Si02 методом высокотемпературного термического анализа с индукционным нагреванием, позволяющим доводить температуру до 3000 С. Последние авторы отмечают, что нагревание может осуществляться с помощью электронной бомбардировки. [21]
 |
Температурная зависимость свободной энергии реакций Si02 ( тв. И2 ( газ SiO ( газ - f H20 ( газ. [22] |
По данной формуле энтропия газообразной моноокиси кремния равна 50.2 кал / град. Эту величину Кубашевский и Эванс считают в общем более надежной, чем полученную из исследований равновесий. Спектральные данные также скорее подтверждают эмпирически вычисленную величину энтропии, чем полученную из окислительно-восстановительных равновесий. Эту величину Кубашевский и Эванс считают наиболее надежной. [23]
Строение существующей в парах молекулы моноокиси кремния еще окончательно не установлено. [24]
Для нахождения свободной энергии диспропорционирования аморфной моноокиси кремния на аморфный кремнезем и кремний используется свободная энергия превращения кристобалита в кремнеземное стекло. [25]
В качестве изоляционного подслоя обычно применяют моноокись кремния толщиной порядка 1 мкм. [26]
При использовании обычных испарителей для напыления моноокиси кремния и др. иногда наблюдается выброс с поверхности испарителя микроскопических частиц. Снижение скорости испарения уменьшает вероятность выброса этих частиц, однако все же значительное число невидимых глазом микроскопических частиц достигает поверхности подложки, имея достаточную энергию для того, чтобы пробить насквозь пленку. В связи с этим представляют интерес такие конструкции испарителей, которые позволяют отфильтровать из молекулярного пучка все микроскопические частицы, прежде чем этот пучок достигнет подложки. [27]
В качестве эталонов используют производственные образцы моноокиси кремния, проанализированные на содержание щелочных металлов1 методом пла-меннофотометрического анализа и методом спектрального анализа с отгонкой основы и последующим осаждением примесей на графитовом коллекторе. В эталоны добавляют графитовый порошок и хлористый цезий в количествах 5 и 1 % соответственно и тщательно перемешивают в ступке из оргстекла 7 - 10 минут. [28]
Сделанные на основании полученных термодинамических характеристик моноокиси кремния выводы об устойчивости этого соединения, естественно, не могут быть убедительными. [29]
Диэлектрические слои тонкопленочных микросхем получают осаждением моноокиси кремния SiO и германия GeO, двуокисей SiO2 и GeO2, окислов А12О3, Та2О5, Nb2Oft, TiO2, нитрида кремния Si3N4) сернистой сурьмы SbS3, полимерных пленок. [30]
Страницы: 1 2 3 4