Моноокись - кремний
Cтраница 3
Определение Li, Na и К в моноокиси кремния проводят прямым сжиганием пробы в дуге постоянного тока. Эталоны - производственные образцы, проанализированные другими методами. В интервале концентраций 1 10 - 4 - 1 10 - 3 % для Na и К в качестве меры концентрации используют ширину линии, для - Li - интенсивность линии. Анализ проводят методом трех эталонов. Средняя относительная квадратичная ошибка составляет 20 % Библ. [31]
Предполагают, что промежуточным продуктом этой реакции является моноокись кремния. [32]
Предполагают, что промежуточным продуктом этой реакции является моноокись кремния. [33]
 |
Тонкопленочный резистор.| Тонкопленочный конденсатор. [34] |
Для напыления пленочных конденсаторов в качестве диэлектрика используют моноокись кремния SiO, трехсер-нистую сурьму Sb2S3, халькогенидные стекла ХГ44 и ИК. [35]
Через другую маску поверх слоя алюминия напыляется слой моноокиси кремния ( рис. 1 - 17 и), а поверх слоя моноокиси кремния еще через одну маску напыляется верхний слой алюминия ( рис. 1 - 17 к), чем завершается изготовление тонкопленочного конденсатора. Через маски из двух испарителей напыляется нихром и золото ( рис. 1 - 17 л), с помощью которых образуются соединительные шины и контактные площадки. [36]
 |
Электрическая схема ( а и топология микросхемы ( б при однослойном расположении элементов. [37] |
Третью маску применяют для напыления диэлектрика в виде моноокиси кремния. [38]
Приведенные выше расчеты имели целью найти термодинамические характеристики моноокиси кремния в стандартных условиях. [39]
 |
S, Изоляция БГИ в местал пересечения со сплошным слоем и окнами. [40] |
Наиболее распространенной является структура алюминий с подслоем хрома - моноокись кремния. [41]
В качестве диэлектриков для пленочных конденсаторов чаще всего используется моноокись кремния. Пленки 5Ю имеют высокое пробивное напряжение ( до 106 в / см), что превышает пробивное напряжение для слюды. На свойства пленок моноокиси кремния сильно влияют условия осаждения. Так, например, плотность пленок, полученных при сравнительно высоких скоростях осаждения ( 25 - 30 А / сек), превышает плотность чистой моноокиси кремния, а электронографический анализ таких пленок показывает наличие в них твердого раствора кремния. [42]
Для устранения микронеровностей иногда на подложку предварительно напыляют слой моноокиси кремния толщиной 1 000 - 10 000 А. [43]
Это, по-видимо му, объясняется сложностью механизма образования моноокиси кремния. [44]
Эти данные подтверждают определенные преимущества полимерных конденсаторов перед конденсаторами из моноокиси кремния и показывают целесообразность использования подобных конденсаторов в качестве составного элемента плоских микросхем. [45]
Страницы: 1 2 3 4