Cтраница 4
На основании этих наблюдений Брюер и Эдварде считают, что моноокись кремния устойчива выше 1450 К, а при всех температурах ниже 1450 К термодинамически неустойчива. В пользу принятия этой температуры, как границы устойчивости SiO, говорит и замеченная Шефером и Хорнлем ( Schafer, Hornle, 1950) аномалия в давлении паров смеси Si ( тв. [46]
В литературе описаны самые различные составы керметов: нихром - моноокись кремния, золото - моноокись кремния, золото - фтористый магний, хром - фтористый магний, алюминий - моноокись германия, железо - моноокись кремния, хром - окись вольфрама, дисилицид хрома - стекло С 41 - 1 и многие другие, однако наиболее полные и воспроизводимые результаты при высокой стабильности резисторов и приемлемом значении ТКС в настоящее время удалось получить лишь для керметов хром - моноокись кремния. [47]
Рисунок первого сигнального слоя получают методом фотолитографии, причем слой моноокиси кремния в дальнейшем будет использоваться в качестве первого слоя составного диэлектрика, а тонкая пленка алюминия ( на рис. 144 не показана) является маской для травления моноокиси кремния. [48]
![]() |
S. Логарифмическая зависимость иарциа. мыюго давления СО от o6 ] aT [ [ oii температуры для ре-акций. [49] |
Известно, что при восстановлении кремнезема и силикатов происходит образование газообразной моноокиси кремния SiO и при построении приведенных графиков делались соответств у-ющие поправки на давление пара м-ноокиси кремния. [50]
Равновесие реакции будет смещено вправо, так как при высокой температуре моноокись кремния получается в газообразном состоянии. При быстром охлаждении из парообразного состояния соединение это получается в виде тонкого желто-коричяезого-порошка, а при медленном охлаждении - в виде твердых и хрупких, как стекло, кристаллов коричневого цвета. Так как моноокись кремния даже в компактном состоянии уже при комнатной температуре реагирует с кислородом воздуха, а в порошке пирофорна и загорается на воздухе, то она является хорошим восстановителем. [51]
В стадии разработки находятся методы и технология травления тонкопленочных диэлектриков: моноокиси кремния и германия, двуокиси кремния. [52]
![]() |
Схема процесса копире вацня дифракционной решетки. [53] |
Далее испарением наносится слой алюминия толщиной порядка 1 мкм и слой моноокиси кремния. Все перечисленные операции выполняются без нарушения вакуума. На подготовленную таким образом решетку наливается полиэфирная смола, и на нее накладывается стеклянная заготовка, поверхность которой химически обработана для повышения адгезии. После полимеризации при температуре порядка 26 в течение 15 - 20 ч матрица и копия отделяются друг от друга механически по разделительному слою, который затем удаляется с поверхности матрицы и копии растворителями. По-видимому, все изготовители копий пользуются одной и той же техникой, но имеются значительные различия в деталях процесса, от которых зависит качество копий. [54]
Впервые в Советском Союзе создано по технологии, разработанной Институтом, производство моноокиси кремния. [55]
Эффективным способом улучшения поверхностных свойств подложек является нанесение на них толстого слоя моноокиси кремния непосредственно перед напылением тонкопленочных слоев. Показателем степени очистки подложки является коэффициент сухого трения на поверхности подложки; чем он больше, тем лучше очищена подложка. Значения коэффициентов сухого трения стеклянной поверхности при различных способах очистки приведены ниже. [56]
В некоторых работах показано, что по сравнению с покрытиями на основе моноокиси кремния пленки на основе окиси железа имеют лучшие оптические свойства и большую механическую прочность. [57]