Cтраница 3
Как видно из табл. 2, бромид натрия, являющийся типичным поверхностно-инактивным веществом, при 50 и 60 С в заметных количествах присутствует в поверхностном монослое, и доля его там все более возрастает по мере увеличения концентрации раствора. [31]
Множитель перед Т0 в ( 69) представляет среднее число колебаний ( нормальных к поверхности раздела) молекулы ПАВ за время ее пребывания в поверхностном монослое. [32]
Позднее Лэнгмюр и Адам, используя этот принцип, сконструировали весы ( рис. 19), которые до настоящего времени в различных вариантах используют для исследования поверхностных монослоев. [33]
При использовании сфокусированного изображения вместо сканирующего пятна сокращается время эксперимента, уменьшается его сложность и эффективно используются электроны, так как полимеризуется сразу же вся пленка, а не поверхностный монослой. [34]
В последнем случае реакция идет на поверхности образца, граничащей с газом, а поверхность раздела твердых фаз вообще не образуется, если не считать начального периода реакции, протекающей в поверхностном монослое железа. Следует также иметь в виду, что диффузионные процессы обоих типов могут протекать одновременно с соизмеримой скоростью, так что будет реализоваться промежуточный механизм. [35]
Хотя газы имеют более низкие атомные номера, чем серебро, а следовательно, и более низкую рассеивающую способность, тем не менее можно легко получить дифракционную характеристику отдельного монослоя газа ( кроме водорода) на поверхности твердого тела, если только, как это обычно и бывает [5], атомы газа образуют решетку, несколько отличную от решетки твердого тела. Если атомы газа в поверхностном монослое образуют ту же самую решетку, что и кристалл-носитель, то присутствие атомов газа можно обнаружить, когда расстояние между поверхностным монослоем и атомной плоскостью кристалла отличается от расстояния между двумя соседними атомными плоскостями ( в твердом теле-носителе) с такими же миллеровскими индексами. Присутствие газа на поверхности может быть обнаружено в столь малых количествах, как несколько процентов от одного монослоя. Если адсорбированы два или более монослоев газа, то внешний слой является аморфным, и он может сделать совершенно невозможным наблюдение дифракционного рассеяния от расположенного под ним кристалла. Поэтому обычно для того, чтобы наблюдать дифракцию, необходимо тщательно очистить твердую поверхность в высоком вакууме путем нагревания или другим способом. На некоторых кристаллах даже первый монослой газа имеет аморфную структуру. В этом случае единственным доказательством наличия адсорбированного газа является уменьшение интенсивности дифракционного потока от кристалла-носителя. [36]
После обезгаживания кристалла никеля при температуре 800 в течение нескольких часов в соответствии с наблюдением, упомянутым выше, было обнаружено, что он покрыт двухраз-мерным гранецентрированным монослоем. Для того чтобы удалить этот поверхностный монослой, кристалл был подвергнут бомбардировке ионами аргона и отжигу. Последующее нагревание при 800 в течение нескольких часов вызывает исчезновение этой структуры и появление двухразмерной гранецентрированной структуры. Дифракционная картина для обеих поверхностных структур становится все менее интенсивной и, наконец, совсем исчезает при продолжении нагревания и повторении циклов обработки, описанных выше. Авторы считали, что полученная таким образом поверхность была совершенно чистой. [37]
В динамической системе эффекты Марангони и Гиббса способствуют временной стабилизации жидкой пленки, так как в любой точке, где за счет внешних сил пленка утончается до предела, возникает местное увеличение поверхностного натяжения, противодействующее утончению. Градиент поверхностного натяжения проявляется не только в поверхностном монослое, но и в части близлежащей жидкости вследствие действия сил вязкости. Согласно этому механизму, названному поверхностным переходом, возможна стабилизация любых потенциальных точек разрыва. [38]
![]() |
Кристалл с винтовой дислокацией. [39] |
Чаще на свободной поверхности реального кристалла наблюдаются микротрещины. Они образуются из-за односторонней связи атомов и деформации ионов поверхностного монослоя, поскольку верхняя плоскость кристалла находится на более близком расстоянии от лежащей ниже плоскости, чем период решетки. [40]
Коэффициенты р и а отражают пропускную способность потенциального барьера между поверхностным монослоем и раствором. [41]
Как уже упоминалось, было найдено, что расположение атомов в поверхностных монослоях этих элементов в атомно-чистом состоянии отличается от их расположения в соответствующих плоскостях в объеме. Влияние воздействия кислорода до некоторой степени зависит от типа кристалла и поверхности. Наличие остающихся интенсивных потоков целочисленного порядка указывает, что структура поверхности после адсорбции совпадает с нормальной структурой германия и что атомы кислорода насыщают свободные связи на поверхности и возвращают поверхностные атомы германия в такое положение, которое они занимают в объеме. Кислородные атомы также располагаются в узлах нормальной решетки германия. Таким образом, дифракционное рассеяние на поверхности германия, покрытой монослоем кислорода, лучше соответствует собственно германию, чем рассеяние на атомно-чистой поверхности. Потоки целочисленного порядка от грани ( 111) поверхности германия были ослаблены и наблюдались при измененном напряжении, что указывает на изменение межатомных расстояний в глубину, хотя межатомные расстояния на поверхности оставались теми же. [42]
Следовательно, остается только одно объяснение экспериментальных данных для указанной системы: неприменимость к ней модели поверхностного монослоя. Согласно условию устойчивости ( 1) и формуле ( 2), поверхностный монослой в системе гексан - ацетон является неустойчивым и если бы даже он образовался в какой-то момент, то поверхностный слой стал бы самопроизвольно утолщаться. Мы можем сказать поэтому, что в рассматриваемой системе минимальная возможная толщина поверхностного слоя в исследованном интервале температур составляет около двух монослоев. [43]
Рассмотрим для этой цели особенности влияния разбавления исходного газа двуокисью углерода на скорость реакции карби-дирования на различных этапах. Напомним, что в начальный период реакция карбидирования железа окисью углерода протекает в поверхностном монослое, так что процессы диффузии в твердом теле не играют существенной роли в наблюдаемой кинетике реакции. [44]