Cтраница 1
Набор кривых и ( п) для разных значений / С для арсенида галлия показан на рис. 10.16. Верхняя кривая на каждом из этих рисунков относится к некомпенсированному полупроводнику. [1]
Набор кривых для одного потребителя и одной пары благ представляет собой карту кривых безразличия. [2]
В остальных наборах кривых только один параметр отличается от этих стандартных значений. [4]
Удобно начертить наборы обсуждаемых кривых на кальке и наложить их друг на друга. [5]
Сплайн - это набор кривых Безье. Причем он рисуется подряд, звено за звеном, как полилиния. [6]
Так обычно каждому набору связевых кривых, приходящих к определенному атомному уровню энергии, отвечают свои репульсивные линии, кончающиеся при развале неустойчивых состояний квазимолекул на том же уровне, что и связевые линии. После отнятия этой избыточной энергии атомы Н оказываются на том же энергетическом уровне, на котором кончается кривая X12 g при диссоциации устойчивой молекулы в ее нормальном состоянии. [7]
В соответствии с этим строят набор кривых для всех сочетаний HK. Каждому из них отвечает одна кривая-кривая Хелла. [8]
Обычно Г - кривая или набор кривых. [9]
В соответствии с этим строят набор кривых для всех сочетаний HKL. Каждому из них отвечает одна кривая - кривая Хелла. [10]
![]() |
Схема кривых потенциальной энергии, иллюстрирующая квазипересечение термов высокого приближения. [11] |
Предположим, что удалось рассчитать набор кривых потенциальной энергии ( Л и В на рис. 3.2), причем точность вычислений достаточна для того, чтобы пересечения, запрещенные правилами симметрии, не происходили. Используя кривые потенциальной энергии, обсудим поведение двухатомных молекул. Если движение ядер достаточно медленное и внешние возмущения отсутствуют, то молекулы будут находиться на одной из этих адиабатических кривых сколь угодно долго. [12]
![]() |
Зависимость разности потенциалов ( F 1 - K 1 от энергии фотонов Ер (, в для серии кривых РЭЭ фталоцианина меди. Разность at - ах - Ер - ЕЧЖ равна ширине кривой РЭЭ. [13] |
Величину Evac можно получить из набора кривых РЭЭ, находя разности энергий между точками начала эмиссии и точками, в которых она прекращается. В действительности положения подъемов и спадов концов кривых РЭЭ имеют тенденцию к разбросу, как видно из рис. 4.2.3 в. Величины задерживающего потенциала в начале и конце кривой могут быть получены линейной экстраполяцией указанных подъемов и спадов. Хотя основанные на анализе кривых РЭЭ зависимости привлекательны тем, что не связаны с какой-либо моделью и для их построения может быть использовано множество кривых РЭЭ, все же остается некоторая неопределенность в выборе точек отсечки начала и конца кривой РЭЭ. [14]
Основным результатом фотоэмиссионного эксперимента обычно является набор кривых РЭЭ для различных энергий возбуждающих квантов. [15]