Cтраница 1
Нагревание кристалла будет способствовать исчезновению ( залечиванию) таких термодинамически неустойчивых дефектов. [1]
Нагревание кристаллов приводит к разупорядочению их поверхности. [2]
Иногда нагревание кристалла приводит к взаимодействию этих локальных акцепторных уровней ( положительных свободных валентностей) с эквивалентным количеством донорных уровней ( О8 - или отрицательных свободных валентностей) и к их взаимному уничтожению. На этих центрах, вероятно, и протекают гомолитиче-ские окислительно-восстановительные реакции. [3]
Из-за нагревания кристалла вследствие диссипации мощности звука в большинстве перестраиваемых фильтров трудно достичь 100 % - но го преобразования мощности. Эти обстоятельства приводят к уширению полосы пропускания акустооптического перестраиваемого фильтра. [4]
При нагревании кристалла все линии, кроме Av6, лишь незначительно смещаются по частоте ( на 3 - 5 слг1) и уширяются. Интегральная интенсивность этой линии, пропорциональная приближенно произведению / Об, также растет с температурой. [5]
При нагревании кристалла в нем возбуждаются упругие акустические волны ( волны Дебая), которые и определяют теплоемкость кристалла. [6]
При нагревании кристаллов до 440 С получают аморфный оксид фосфора ( V), который при возгонке снова превращается в кристаллический. [7]
При нагревании кристаллов их плавление всегда начинается сразу по достижении температуры плавления - кристаллы практически перегреть невозможно. Расплав же может быть переохлажден ниже температуры плавления. На рис. 9.10 показаны температурные кривые кристаллизации плавов индивидуальных веществ. [8]
При нагревании кристалла возникают тепловые упругие волны, энергия которых представляет тепловую энергию кристалла. Квантование тепловых волн приводит к представлению о квантах звука - фононах. В нагретом кристалле возникает фононный газ. Плотность энергии фононного газа растет с повышением температуры пропорционально ее четвертой степени. При-понижении температуры кристалла плотность фононного газа уменьшается. Из состояния плотного газа он переходит в разреженный газ, а затем в состояние вакуума. Здесь оказывается полезным понятие длины свободного пробега фонона. В плотном фононном газе фононы сталкиваются друг с другом. В разреженном газе фононы сталкиваются с границами кристалла, поэтому длина свободного пробега становится постоянной и определяется линейными размерами кристалла, от которых начинает зависеть коэффициент теплопроводности. [9]
При нагревании кристалла в парах галогена возникает противоположная картина. В этом случае избыток неметалла обеспечивается вакансиями в катионной подрешетке, а компенсация заряда осуществляется электронными дырками. Такие центры называются У-центрами. Оптические свойства У-центров аналогичны свойствам - центров; различие состоит в том, что полоса поглощения У-центров лежит в инфракрасной области. [10]
При нагревании кристаллов ТЖ с внедренными молекулами растворителя в интервале тем-пера тур 325 - 335 К происходит высвобождение молекул растворителя и спектр КР малых частот восстанавливается, т.е. происходит повышенно частот решеточных ко-ле Оаний, уменьшение ширины линии и непрерывного фона. [11]
Так, нагревание кристалла может вызвать не только изменение его энтропии и тепловое расширение, но и термоупругие напряжения, и электрическую поляризацию вследствие пироэлектрического эффекта. [12]
Рассмотрим процесс нагревания кристалла простого вещества, например металла, кристаллическая решетка которого состоит из атомов только одного вида. [13]
Таким образом, нагревание кристаллов полупроводникового соединения в общем случае приводит к разложению их на элементарные компоненты и образовавшийся расплав представляет собой раствор, обогащенный металлическим компонентом. Однако термическую диссоциацию соединения возможно предотвратить, создавая в закрытой реакционной системе противодавление летучего компонента. [14]
Для деформации, вызванной нагреванием кристалла, характерно то, что кристалл расширяется неодинаково вдоль трех главных осей. [15]