Нагревание - кристалл
Cтраница 2
 |
Схема изменения окраски сподумена по Клаффи. [16] |
Окраска сподумена изменяется при нагревании кристаллов или облучении их рентгеновыми, катодными или ультрафиолетовыми лучами ( рис. 3): розовые кунциты под воздействием рентгеновых или улучей становятся зелеными, при нагревании или облучении ультрафиолетовыми лучами обесцвечиваются. [17]
Чаще всего такие вещества получают нагреванием кристалла стехиометрического состава в атмосфере паров металла или соответствующего металлоида. [18]
Весьма интересные ФП происходят при нагревании кристаллов, состоящих из анизотропных структурных единиц. Так, при нагревании NaNO3 в интервале температур 250 - 275 С происходит ФП из структуры типа СаСО3 в структуру NaCl за счет вращения в кристаллическом пространстве иона NOj и приобретения им сферической формы. В случае галогени-дов аммония ФП с вращением иона NH4 происходят при температурах 184 3 С ( NH4C1); 137 8 C ( МН4Вг) и 17 6 С ( NH4I) в соответствии с ослаблением ион-дипольного взаимодействия протон-галоген в ряду С1 - I, которое стабилизировало фиксированное положение иона аммония в кристаллическом пространстве. [19]
Эпинус обнаружил, что при нагревании кристалла турмалина на его гранях появляются электростатические заряды. В дальнейшем этому явлению было присвоено наименование пироэлектрического эффекта. Эпинус предполагал, что причиной электрических явлений, наблюдаемых при изменении температуры, является неравномерный нагрев двух поверхностей, приводящий к появлению в кристалле механических напряжений. Одновременно он указал, что постоянство в распределении полюсов на определенных концах кристалла зависит от его структуры и состава. [20]
 |
Основные параметры температурно-чувствительных конденсаторов, выпускаемых серийно массой около 0 1 г. [21] |
Эпинус обнаружил, что при нагревании кристалла турмалина на его гранях появляются электростатические заряды. В дальнейшем этому явлению было присвоено наименование пироэлектрического эффекта. Эйинус предполагал, что причиной электрических явлений, наблюдаемых при изменении температуры, является неравномерный нагрев двух поверхностей, приводящий к появлению в кристалле механических напряжений. [22]
Поскольку метод декорирования всегда связан с нагреванием кристаллов, он идеально подходит для изучения субграниц в отожженных кристаллах. [23]
В ранних исследованиях автора / 1939 / нагревание кристалла производилось неравномерно; быстрее при низких температурах и медленнее при более высоких температурах. [24]
 |
Ангармонический вклад в теплоемкость кристаллического германия. [25] |
Чтобы найти полный сдвиг частоты vg при нагревании кристалла от 100 до 700 К, необходимо отдельно вычислить сдвиги, обусловленные изменением объема и изменением температуры. [26]
Термическое стирание записанных в LiNbO3 голограмм легко осуществляется при нагревании кристалла до температуры 200 С. При этой температуре вероятность термической ионизации электронов достаточно велика и происходит их равномерное перераспределение. [27]
Освобождение электронов может произойти и другим путем, например при нагревании кристалла, когда энергия колебания атомов в кристаллической решетке может увеличиться настолько, что связи разрушатся и электроны смогут освободиться. Этот процесс также протекает с образованием дырок. [28]
Дефекты по Френкелю ( структуры смещения) могут возникнуть при нагревании кристалла. В этом случае атом выходит из узла в междоузлие, благодаря чему сразу возникают два точечных дефекта: вакансия и собственный атом внедрения. [29]
Дефекты по Френкелю ( структуры смещения) могут возникнуть при нагревании кристалла. В этом случае атом выходит из узла в междоузлие, благодаря чему сразу возникают два точечных дефекта: вакансия и собственный атом внедрения. На это тратится много энергии ( 2 - 4 эВ), так как у большинства кристаллов размеры межузловых пространств меньше размеров атомов. [30]
Страницы: 1 2 3 4