Нагревание - кристалл
Cтраница 3
Увеличение степени деалюмипирования при обработке Н - морденита растворами HCI после нагревания кристаллов в токе воздуха, насыщенного парами воды, отмеченное в [169], также могло быть связано с переходом части тетраэдрического алюминия каркаса в кати-онное состояние. Авторы считают поэтому, что при термообработке Н - морденита в присутствии пара воды тетра-эдрический каркасный алюминий не переходит в состояние обменного катиона; происходит лишь частичный гидролиз алюминия в тетраэдрах, приводящий к разрыву только одной или двух связей А1 - О - Si, что при последующем действии кислоты облегчает выход алюминия из каркаса. Выход алюминия в раствор NaCl из кристаллов Н - морденита после предварительного нагревания их на воздухе, наблюдавшийся в [158], следует объяснять, по-видимому, переходом каркасного алюминия в состояние обменного гидроксикатиона. [31]
В работах [4.24, 4.72] был предложен метод фиксации записанного изображения в LiNbO3 нагреванием кристалла после записи до температуры 100 и выдерживанием в течение нескольких минут. При освещении кристалла однородным пучком после такой обработки начинает восстанавливаться голограмма. Восстановленное изображение является стабильным и не подвержено стиранию при считывании. Такая миграция положительных ионов приводит к замещению электронного распределения, образованного при записи голограммы ионным распределением. После охлаждения кристалла новая ионная картина замораживается. После однородного освещения и полного перераспределения электронов в кристалле остается электрическое поле ионов, которое по форме повторяет записанное светом поле в голограмме, но отличается по знаку. [32]
Измерения, выполненные в работе [378], показали, что при нагревании кристалла NaNO2 все линии смещаются к возбуждающей линии и уширяются. В точкесегнето-электрического фазового перехода 6 160 С указанные линии имеют частоты AV, 110 см-1, & ч 2 143 см-1, а линия Avg становится настолько размытой, что ее уже невозможно зарегистрировать. Интенсивность этой полосы равномерно спадает при удалении от возбуждающей линии. Кроме того, выше точки перехода исчезают некоторые линии с более высокой частотой, что согласуется с правилами отбора. [33]
Уширение линий комбинационного рассеяния и их сдвиг к возбуждающей линии при нагревании кристалла являются обычными температурными эффектами. Линии с аномально уменьшающейся частотой вблизи точки перехода в работе [378] обнаружено не было. Соответствующее колебание должно относиться к трансляционному типу ( смещение Na относительно NO2 вдоль оси г), и, по-видимому, ниже точки перехода линия комбинационного рассеяния с частотой указанного колебания имеет очень малую интенсивность. [34]
Это приводит к тому, что при возрастании амплитуды колебаний атомов вследствие нагревания кристалла рост сил отталкивания между атомами преобладает над ростом сил притяжения. [35]
Это только логический вывод, но он может быть проверен и подтвержден нагреванием кристалла до температуры около 100, при которой удаляется вода. После этого оказывается, что серебром осаждается только два иона хлора вместо трех, а третий занимает место воды в координационной сфере. При нагревании этого вещества с водой хлор снова вытесняется молекулой воды, и исходное соединение регенерируется. [36]
Как уже отмечалось, последний уменьшается в 2 - 8 раз при нагревании кристалла от абсолютного нуля до температуры плавления. [37]
Наконец, при РРк ( например, при Р3; точка К) нагревание кристаллов после их плавления ( точка /) приводит вещество в надкритическое состояние. Употреблением этого термина мы подчеркиваем лишь тот факт, что в этой области ( например, в точке т) жидкость и газ неотличимы. [38]
 |
Диаграмма состояния однокомпонентной системы. [39] |
Наконец, при Р Рк ( например, при Р3; точка k) нагревание кристаллов после их плавления ( точка /) приводит вещество в надкритическое состояние. Употреблением этого термина мы подчеркиваем лишь тот факт, что в этой области ( например, в точке т) жидкость и гаи неотличимы. [40]
Так как амплитуда тепловых колебаний атомов возрастает с температурой, то интенсивность главных максимумов уменьшается при нагревании кристалла и перераспределяется в область обратного пространства между главными максимумами. [41]
Следует учитывать, что в кристаллах с большой проводимостью рассеивается значительная мощность постоянного тока, что приводит к нагреванию кристалла. Причем величина рассеиваемой мощности увеличивается на высоких частотах. [42]
Появление зарядов на поверхности пироэлектрика i нязано с изменением существующей внутри него самопроизвольной ( спонтанной) поляризации при нагревании кристалла. Поэтому пироэлек-трикамн могут быть лишь такие кристаллы, в к-рых существует выделенное направление, остающееся неизменным при всех преобразованиях симметрии. [43]
 |
Адсорбция кислорода при 25 С на грани ( 111 серебра при различных давлениях. [44] |
Как и на грани ( 100), на грани ( 111) электрополированного серебра адсорбция не происходит даже после нагревания кристалла в атмосфере водорода или кислорода при 100 С. [45]
Страницы: 1 2 3 4