Cтраница 1
Верхняя критическая нагрузка соответствует точке бифуркации равновесия при фиксированных значениях внешних сил; в сечениях полосы при выпучивании будут возникать области разгрузки. Нижняя критическая нагрузка - наименьшая нагрузка, при которой возможно выпучивание в условиях продолжающегося нагружения. [1]
Верхняя критическая нагрузка сетчатого купола, вычисленная по формуле (12.24) должна, как правило, в 5 - 10 раз превышать осредненную расчетную нагрузку. [2]
Значение верхней критической нагрузки определяют с помощью линеаризованных дифференциальных уравнений; при осесимме-тричном нагружении решение таких уравнений для цилиндрических оболочек не представляет принципиальных трудностей. [3]
![]() |
Рост по годам числа. [4] |
Величина верхней критической нагрузки, полученная в этих работах. Наблюдаемые в экспериментах критические нагрузки, как правило, были значительно ниже классической. Все дальнейшее развитие теории устойчивости оболочек было направлено на выявление причин этого расхождения. [5]
Определяя верхнюю критическую нагрузку, мы не рассматривали форму выпучивания оболочки. [6]
Наименьшее значение отвечает верхней критической нагрузке. [7]
Уточненные решения дают несколько меньшие верхние критические нагрузки; при этом заметно оозрастает нижняя критическая нагрузка. [8]
По мере приближения к верхней критической нагрузке ( рис. 8.2, б) требуется все большее число итераций, а при Р / Рв 0 9, где Р & определено численно для указанной оболочки в [9], процесс расходится. [9]
Рассмотрим два простейших примера определения верхней критической нагрузки. [10]
Во-вторых, при наличии начальных отклонений верхняя критическая нагрузка становится меньше значения, соответствующего точке бифуркации Вг идеализированной системы. [11]
![]() |
Влияние отношения изгибных жесткостей D - n / D на критический параметр осевой силы. [12] |
Таким образом, формула (4.10) определяет верхнюю критическую нагрузку осевого сжатия с учетом неравномерного распределения температуры по толщине стенки оболочки. [13]
Ординаты Р и Рв точек и С называются верхними критическими нагрузками для иде - & льной оболочки и для оболочки с неправильностями. [14]
На рис. 13.6 дано сравнение расчетных и экспериментальных значений верхних критических нагрузок. [15]