Надежность - полупроводниковый прибор
Cтраница 1
 |
Зависимость Т2 / Тср от Кн.| Зависимость R R ( t при различных температурах нагрева баллонов радиоламп. [1] |
Надежность полупроводниковых приборов зависит от качества их производства и от условий их применения. [2]
Требования к надежности полупроводниковых приборов непрерывно возрастают. [3]
При оценке надежности полупроводниковых приборов, использованных в радиоэлектронной аппаратуре, необходимо дать оценку количества отказов, которое произойдет за интервал времени ti - tz если известно, что к началу этого интервала ( например, к какому-либо определенному моменту времени работы устройства) все приборы были работоспособными. [4]
Для повышения надежности полупроводниковых приборов, используемых при повышенных мощностях, необходимо производить интенсивный отбор тепла от корпуса прибора. В большинстве случаев для этой цели используются радиаторы самых разнообразных конструкций. Простейшие из них представляют собой металлические пластины с размерами, достаточными для хорошего отбора тепла от корпуса полупроводникового прибора. [5]
Для увеличения надежности полупроводниковых приборов необходимо снижать рабочие напряжения до уровня 0 7 от предельного. [6]
 |
Радиатор из металлических пластин для теплоотвода. [7] |
Вредно влияет на надежность полупроводниковых приборов влага. Для борьбы с ней приборы помещают в герметичные корпуса, а сами полупроводниковые кристаллы покрывают тонким слоем какой-либо защитной пленки. [8]
 |
Зависимость надежности [ IMAGE ] Зависимость на транзисторов П13 - П15 от величины дежности диодов Д219 - рассеиваемой мощности. Д220 от величины выпрям. [9] |
Существенное влияние на надежность полупроводниковых приборов оказывает их рабочая температура. [10]
Особое место в проблеме надежности полупроводниковых приборов занимают вопросы надежности в условиях хранения и при воздействии проникающей радиации. [11]
Для определения количественных показателей надежности полупроводниковых приборов после проведенных испытаний на срок службы необходимо знать параметры-критерии годности. [12]
 |
Относительное и. менение коэффициента перс дачи тока базы в зависимости от дозы нейтронов для низкочастотных и высокочастотных транзисторов. [13] |
При изучении влияния радиации на надежность полупроводниковых приборов следует различать временные и необратимые изменения параметров. [14]
При изучении влияния радиации на надежность полупроводниковых приборов следует различать временные и необратимые изменения параметров. [15]
Страницы: 1 2 3