Cтраница 3
Современные вычислительные и счетно-решающие устройства, аппаратура автоматики и радиотехнические средства насчитывают в ряде случаев десятки тысяч полупроводниковых приборов в одной единице. Поэтому изучению надежности полупроводниковых приборов уделяется все большее внимание и предъявляются все более высокие требования к их безотказной работе. [31]
Много поработав, чтобы стабилизировать производство, наконец добиваются получения годных приборов. Но при хранении приборы часто ухудшают свойства, а иногда приходят в негодность. В теории надежности полупроводниковых приборов подобные процессы называются дрейфом параметров прибора. [32]
Стабильность параметров полупроводниковых приборов, их дрейф во времени и при изменении температуры также в значительной степени определяются процессами на поверхности. В связи с этим представляется необходимым более подробно рассмотреть основные процессы, протекающие на поверхности, с тем чтобы иметь возможность оценить их вероятное влияние на стабильность и надежность полупроводниковых приборов. [33]
Основы зонной теории, принципы электропроводности полупроводников, основные соотношения даются в минимальном объеме, необходимом для изложения основного материала книги. Описаны основные типы диодов: силовые, импульсные, туннельные, лавннно-пролетные и другие. Рассматриваются также принципы действия, физические процессы и параметры биполярных и униполярных транзисторов в диапазоне низких и высоких частот, тиристоров, лавинных транзисторов, фотодиодов и фототранзисторов, датчиков Холла и др. Кратко излагаются основные сведения о технологии и конструкции полупроводниковых приборов. Значительное место отводится рассмотрению процессов на поверхности, вопросам стабильности и надежности полупроводниковых приборов. [34]
В книге излагаются краткие сведения о физических основах работы полупроводниковых приборов, рассматриваются электрические характеристики и параметры транзисторов, включая высокочастотные и импульсные параметры, а также методы их измерения. Специальная глава посвящена анализу погрешностей методов измерения и их расчету Даются понятия предельных режимов работы транзисторов и рекомендации по выбору режимов работы приборов в схемах. Приводятся методы расчета теплоотводов. Об ращается внимание на необходимость сохранения запаса прочности, имеющегося в транзисторах. Ряд разделов посвящен изложению вопросов, охватывающих не только транзисторы, но и другие классы полупроводниковых приборов: технические условия на полупроводниковые приборы, методы механических и климатических испытаний, надежности полупроводниковых приборов, методы ее количественной оценки. Приводятся сведения о видах отказов полупроводниковых приборов и зависимости их надежности от режимов и условий работы. [35]