Накопление - избыточный заряд
Cтраница 1
Накопление избыточного заряда, например в n - базе, происходит с постоянной времени - ср и заканчивается через ( 2 - 3) тр. [1]
Накопление избыточных зарядов не может продолжаться беспредельно, так как одновременно происходит понижение потенциального барьера на величину U и усиление встречной диффузии основных носителей - электронов из - области в р-область и дырок в противоположном направлении. [2]
Накопление избыточного заряда в базах - и р-типа происходит с постоянными времени тр и т соответственно. [3]
 |
График функции. [4] |
Накопление избыточного заряда идет под воздействием постоянного тока цепи базы. [5]
Накоплению избыточных зарядов в растворе препятствует электрический перенос катионов Mez и анионов ОН навстречу друг другу, скорость которого зависит от электропроводности раствора. [6]
Стадия накопления избыточного заряда в базе характеризуется отсутствием внешних изменений токов. При передаче коротких импульсов накопление избыточного заряда может прекратиться раньше, чем будет достигнуто предельное значение заряда. [7]
По окончании процесса накопления избыточного заряда все внешние и внутренние изменения токов и напряжений в схеме практически прекратятся до момента поступления заднего фронта входного сигнала. [8]
Отсюда ясно, что эффект накопления паразитного избыточного заряда приводит к существенному снижению надежности работы, транзисторов при их использовании в режиме насыщения. Уменьшение величины этого заряда и снижение его могут быть достигнуты уменьшением времени жизни электронов в коллекторе. Для этого полезно вводить примесь золота в исходный германий. Уровни золота обладают большим сечением захвата для электронов в р-германии. Другим способом может явиться некоторое изменение конструкции прибора: уменьшение расстояния между эмиттером и базовым контактом. [9]
Насыщенное состояние транзистора характеризуется еще одним процессом: накоплением избыточного заряда неосновных носителей в области базы. Это накопление связано со следующим явлением. При ненасыщенном состоянии транзистора между базой и коллектором приложено напряжение, препятствующее проникновению носителей, создающих коллекторный ток, из области коллектора обратно в область базы ( икб I в I - I к I. В режиме насыщения сопротивление переходов становится настолько незначительным, что их приближенно можно считать короткозамкнутыми. При этом напряжение на коллекторе становится практически равным нулю. Эта диффузия и обусловливает появление в при-коллекторной области базы избыточной концентрации электронов, являющейся признаком насыщения транзистора. [10]
Насыщенное состояние транзистора характеризуется еще одним процессом: накоплением избыточного заряда неосновных носителей в области базы. Это накопление связано со следующим явлением. При ненасыщенном состоянии транзистора между базой и коллектором приложено - напряжение, препятствующее проникновению носителей, создающих коллекторный ток, из области коллектора обратно в область базы ( ык. В режиме насыщения сопротивление переходов становится настолько незначительным, что их приближенно можно считать короткозамкнутыми. При этом напряжение на коллекторе становится практически равным нулю. [11]
Для расчета переходных процессов в дрейфовом транзисторе с учетом накопления избыточного заряда неосновных носителей в пассивных областях было предложено несколько моделей. [12]
 |
Вольт-амперные характеристики фотоэлемента при различных световых потоках, падающих на фотоэлемент.| Световые характеристики фотоэлемента. [13] |
Сублинейность световых характеристик связана с уменьшением высоты потенциального барьера при накоплении избыточного заряда электронов в я-области и дырок в р-области. [14]
Снижение фото - ЭДС объясняется уменьшением высоты потенциального барьера при накоплении избыточного заряда электронов в n - области и дырок в р-области; как следствие этого процесса поле р-п перехода хуже разделяет фотоносители и рост фото - ЭДС при увеличении потока излучения замедляется. [15]
Страницы: 1 2 3 4