Накопление - избыточный заряд
Cтраница 3
Величина тн используется как на зтапе накопления избыточного заряда, так и на этапе его рассасывания. Однако условия на этих этапах несколько различны: накопление начинается при малом заряде в транзисторе, а рассасывание - при большом. При рассасывании фактическая постоянная времени процесса изменения заряда на 20 - 25 % меньше, чем на этапе накопления. Иногда это учитывается, и для этапов накопления и рассасывания пользуются разными постоянными времени: тн и тр. [31]
Для процесса выхода из насыщения существует также только одна постоянная. Принятая Моллом модель расчета насыщенного режима с накоплением избыточного заряда лишь в активной области базы относительно правильно отражает картину распределения неосновных носителей заряда в сплавных транзисторах. [32]
 |
Семейство выходных.| Изменение тока коллектора транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером в ключевом режиме. [33] |
Однако, как только транзистор попадает в режим насыщения ( точка В на рис. 4.52), рост коллекторного тока прекращается. В этот момент заканчивается формирование переднего фронта импульса тока коллектора и начинается этап накопления избыточного заряда дырок в базе. [34]
 |
Структура ( а, схема включения ( б и условное обозначение ( в фототранзистора. [35] |
Переключение фототиристора из закрытого в открытое состояние происходит, как и у обычного тиристора, в связи с введением в одну из областей, примыкающих к переходу, дополнительных носителей заряда. Введение дополнительных носителей заряда увеличивает уровень инжекции дырок из области pi и электронов из области п2, что приводит к накоплению избыточных зарядов в областях п и р2 фототиристора и к переключению его в открытое состояние. [36]
Увеличение прямого тока включения базы h возможно за счет повышения напряжения ывх. При этом ( ф уменьшается из-за увеличения скорости нарастания тока ( см. рис. 1.226), а длительность рассасывания увеличивается вследствие накопления избыточного заряда. Длительность среза остается неизменной. При изменении сопротивления R, например уменьшении, происходит пропорциональное увеличение токов / 6, и / 62, процесс включения протекает быстрее. [37]
Так как стоковый л - л - - переход отражает дырочные носители тока, у истоковой и стоковой границ канала возникает накопление избыточного заряда носителей подобно режиму насыщения биполярного транзистора. [38]
Транзистор, работающий в ключевом режиме, принято называть ключом. При замыкании ключа скорость переходных процессов определяется временем перезарядки барьерных емкостей эмяттерного и коллекторного переходов, временем нарастания коллекторного тока и временем накопления избыточных зарядов в базе. При размыкании ключа длительность переходных процессов определяется временем рассасывания избыточных зарядов в базе и скоростью убывания коллекторного тока. [39]
Так же как и в БТ, в нормальных закрытых ПТУП, работающих при прямых смещениях на р-л-переходе затвор - исток, происходит накопление избыточного заряда неосновных носителей в затворной, истоковой и канальной областях. Поэтому быстродействие схем с непосредственными связями на ПТУП также зависит от времени рассасывания неосновных носителей, которое и определяет в основном время формирования положительного фронта выходного импульса при переключении инвертора при закрывающемся ПЭ. Кроме того, параметром, характеризующим длительность переходных процессов в схемах с непосредственными связями на ПТУП, является зарядка паразитной выходной емкости инвертора при формировании отрицательного фронта выходного импульса. Разрядка выходной емкости происходит через сопротивление канала открытого ПТУП и зависит в первом приближении от постоянной времени, равной RKCBb [ K. Следует отметить, что составляющая времени задержки переключения, обусловленная накоплением избыточного заряда неосновных носителей, больше других составляющих при значениях рабочих токов, соответствующих высокому уровню инжекции p - n - перехода затвор - исток ПТУП. Однако с уменьшением уровня токов влияние эффектов накопления на время задержки переключения уменьшается. ПТУП, их влияние незначительно по сравнению с влиянием времени зарядки-разрядки паразитных емкостей. [40]
Повышение быстродействия здесь получено снижением степени насыщения транзисторов за счет применения диодов Шотки, шунтирующих переход коллектор-база насыщенного транзистора. Диоды Шотки имеют существенно меньшее пороговое напряжение открывания, чем переход коллектор-база, поэтому во время действия входного импульса диоды Шотки открываются раньше, чем переход коллектор-база, таким образом предотвращается накопление избыточных зарядов в базовой области транзисторов. Накопления заряда в самих диодах Шотки не происходит, так как протекающий в них ток вызван переносом основных носителей. [41]
Рассмотрение этого этапа будем вести в предположении, что емкость нагрузки отсутствует, так как с ее учетом, как показано в конце предыдущего этапа, процессы идут значительно сложнее из-за того, что накопление заряда происходит при уменьшающемся токе коллектора. Несмотря на то что после входа транзистора в режим насыщения токи и напряжения в схеме не изменяются, переходный процесс в транзисторе еще продолжается, так как в его базе и коллекторе ( в дрейфовом транзисторе) идет накопление избыточного заряда, свойственного насыщенному режиму. [42]
Схемы ТТЛ-типа являются насыщенными ЛЭ, так как транзисторы в проводящем состоянии находятся в режиме насыщения. Следовательно, в базах транзисторов накапливаются неосновные носители заряда, и время, затрачиваемое на их рассасывание, снижает быстродействие схемы. Чтобы избежать этого накопления избыточного заряда, параллельно переходу база - коллектор включает диод Шоттки, обладающий малым падением напряжения, меньшим, чем на переходе база - коллектор. [43]
Под действием коронного разряда воздух ионизируется. При этом образуются свободные радикалы - кислотосодержащие группы, а также протекает процесс структурообразования и деструкции. Кроме того, возможно накопление избыточного заряда на обрабатываемой поверхности. Объективным показателем процесса модификации поверхности является краевой угол. [44]
Работа либо в области насыщения, либо в области отсечки присуща импульсным и логическим схемам. При этом оба режима называют ключевыми. Важными параметрами ключевого режима транзистора считаются время нарастания тока коллектора, определяемое конечной скоростью накопления избыточного заряда в толще базы, и время рассасывания, определяемое инерционностью объемной и поверхностной рекомбинации носителей заряда. Для транзисторов широкого применения эти параметры не превышают 200 - 300 не, но могут быть снижены на один-два порядка специальными технологическими приемами. [45]
Страницы: 1 2 3 4