Накопление - избыточный заряд
Cтраница 2
 |
Световые характеристики фотоэлемента. [16] |
Сублинейность световых характеристик связана с уменьшением высоты потенциального барьера при накоплении избыточного заряда электронов в n - области и дырок в р-области. [17]
 |
Световые характеристики фотоэлемента. [18] |
Сублинейность световых характеристик связана с умень шением высоты потенциального барьера при накоплении избыточного заряда электронов в - области и дырок в р-области. [19]
 |
Световые характеристики фотодиода в фотодиодном и фотогальваническом режимах ( / и Ux. [20] |
Снижение фото - ЭДС Ux объясняется уменьшением высоты потенциального барьера при накоплении избыточного заряда электронов в n - области и дырок в р-области; как следствие этого процесса, поле р-п перехода хуже разделяет фотоносители и рост фото - ЭДС при увеличении потока излучения замедляется. [21]
В режимах переключения силовых диодов, когда переходные процессы, связанные с накоплением избыточного заряда в базе при включении или с рассасыванием накопленного заряда при выключении, еще не завершены, стационарные соотношения между током и напряжением на диодах нарушаются. В этих режимах значения мгновенной мощности потерь в диодах, как правило, превышают значения мощности потерь в стационарном режиме при тех же токах или напряжениях. Дополнительные потери энергии, имеющие место при этом в режимах переключения ( коммутации), называются коммутационными потерями. [22]
В промежутке времени / cz ( 4, 4) транзистор находится в состоянии насыщения, происходит накопление избыточного заряда QI136 неосновных носителей в базе. Сердечник перемагничивается по крутому участку петли гистерезиса. [23]
 |
Взаимодействие точечного заряда и диполя ( а и изображение точечного заряда вблизи поверхности проводника ( б. [24] |
Между двумя изолированными друг от друга кусками металла может устанавливаться произвольная разность потенциала; ее значение зависит от случайного накопления избыточных зарядов на их поверхности. Если привести эти металлы в соприкосновение, то заряды перераспределятся и потенциалы вырав-нятся. В случае одинаковой природы металлов выравнивание будет полным; если же природа их различна, то на границе установится определенная разность потенциалов, зависящая от природы проводников. [25]
 |
Базовый элемент микросхем ТТЛШ. а - принципиальная схема. б - передаточные характеристики. [26] |
Поскольку это напряжение меньше 0 5 В, то коллекторный переход практически заперт, а следовательно, не возникает режима насыщения и связанных с ним двойной инжекции и накопления избыточных зарядов. Благодаря этому при запирании транзистора исключается задержка, вызываемая рассасыванием избыточного заряда. [27]
 |
Вольт-амперные характеристики освещаемой р-п структуры.| Нагрузочная часть ВАХ фотодиода, работающего в вентильном режиме. [28] |
При разомкнутой цепи нагрузки уход неосновных носителей электронов и дырок через р-п переход не компенсирует уход основных носителей через контакт. Это приводит к накоплению избыточного заряда в п - и р-об-ластях. [29]
Стадия накопления избыточного заряда в базе характеризуется отсутствием внешних изменений токов. При передаче коротких импульсов накопление избыточного заряда может прекратиться раньше, чем будет достигнуто предельное значение заряда. [30]
Страницы: 1 2 3 4