Амплитуда - выброс
Cтраница 1
Амплитуда выброса зависит от индуктивности рассеяния трансформатора и скорости спада тока коллектора. [1]
Амплитуда выбросов двоичного сигнала не должна превышать 20 % амплитуды сигналов. [2]
Амплитуду выброса можно повысить, увеличив Ci и уменьшив RA. Теперь RA служит не только для образования 1СО - постоянного тока смещения в режиме отсечки, - но также для питания дополнительным гоком, который используется как обратный управляющий ток базы, когда V переключается до своего верхнего уровня. R должно быть теперь уменьшено так, чтобы IRl - / дл / вос все-таки обеспечило ток, необходимый для снижения напряжения открытого транзистора с наименьшим усилением. Следовательно, если верхний и нижний пределы усиления по току, а также по / асо недостаточно близки, то необходимо обеспечить чрезмерно большой скачок управляющего тока. Это делает расчет входной цепи неэффективным. Как правило, решение этой задачи состоит в компромиссном выборе между способностью управляющей цепи образовывать большие переключающие токовые выбросы и получением близких допустимых пределов усиления по току и / асо транзисторов. [3]
Рассчитываем амплитуду выброса тока коллектора, который образуется при работе транзисторного ключа на емкостную нагрузку. [4]
По заданной амплитуде выброса на вершине из формулы ( 9 - 200) можно определить необходимый коэффициент коррекции то. [5]
Для уменьшения амплитуды выброса необходимо. [6]
Для уменьшения амплитуды послеимпульсного выброса, обусловленного энергией, накопленной в импульсном трансформаторе, в модуляторах могут применяться специальные цепи. Цепи снятия послеимпульсного напряжения необходимо включать в мощные модуляторы, где послеимпульсные выбросы достигают значительной величины, превышая по амплитуде анодное напряжение генератора. На рис. 68 показана простейшая цепь снятия после-импульсного напряжения, состоящая из диода Л2 и сопротивления Rz. [7]
Типовое значение амплитуды выбросов выходного напряжения не превышает 10 мВ при длительности 3 не. [8]
Очевидно, что амплитуда выброса напряжения U3K в процессе отпирания транзистора при двухполярном управлении может значительно превышать амплитуду соответствующего выброса при однополярном управлении. [9]
В данном примере амплитуда выброса тока оказалась незначительной, так как емкость коллектора, сглаживающая этот выброс, сравнима с емкостью нагрузки. Однако на практике встречаются случаи, когда амплитуда выброса тока достигает большой величины. При этом, если ток коллектора превышает свою максимально допустимую величину в импульсе, то возможен выход из строя транзистора. [10]
Величина L характеризует амплитуду выбросов потенциала, величина R - степень его нерегулярности. [11]
 |
Приоритетный шифратор 4x2. [12] |
Ключи 590КН10 характеризуются малой амплитудой выбросов напряжения на аналоговых выходах при изменении управляющего сигнала, а ключи 590 К Н 13 - высоким быстродействием. [13]
 |
Влияние температуры на параметры транзистора Г0 [ Л. 34 ]. переходного процесса при запирании транзи - Влияние внешних СО. [14] |
Оба этих фактора заметно снижают амплитуду выброса при отпирании транзистора. I, при изменении емкости, шунтирующей промежуток эмиттер - коллектор кремниевого сплавного транзистора от 15 до 200 пф при / 90 - 1000 ком амплитуда выброса снижается в среднем с 200 до 40 мв как при отпирании, так и при запирании транзистора. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5