Cтраница 5
В рассмотренных схемах к закрытому транзистору прикладывается напряжение, равное сум-ме напряжения питания UQ и эдс, наведенной в неработающей половине первичной обмотки. Кроме того, напряжение на транзисторе может иметь выброс, возникающий в момент его выключения. Амплитуда выброса зависит от индуктивности рассеяния обмоток трансформатора и скорости изменения тока коллектора. [61]
Источники остаточных сигналов не являются единственными источниками помех в транзисторных ключах. Одним из основных недостатков, ограничивающих сферу применения транзисторов в качестве коммутирующих элементов в измерительных модуляторах, является наличие импульсной помехи, возникающей во время коммутации транзистора за счет емкостей коллекторного и эмиттерного переходов. Амплитуды выбросов составляют довольно значительную величину. На рис. 4 - 13 показаны переходные процессы для кремниевых транзисторов. [62]