Cтраница 3
Включение на выходе выпрямителя фильтра, начинающегося с индуктивности, приводит к еще большему увеличению амплитуды выброса обратного напряжения, что вызывает опасность пробоя диодов. [31]
Кривые наглядно показывают, что при использовании двух-полярного управления амплитуда выброса при запирании транзистора заметно превышает амплитуду выброса при однополярном управлении. [32]
![]() |
Схема коммутации транзисторного ключа. [33] |
Длительность установления напряжения на переходах транзистора при его отпирании / отп Зтр, в то же время амплитуда выброса обычно не превышает десятых долей вольта. [34]
В тех случаях, когда по какой-либо причине это невозможно, и необходимо применять двухполярное управление, величину запирающего напряжения следует выбирать минимально возможной, так как при двухполярном управлении амплитуды выбросов как при отпирании, так и при запирании транзистора оказываются практически пропорциональными величине этого запирающего напряжения. [35]
Можно предположить, что чем больше х ( т), тем реже будут случаи нарушения монотонности возрастания 5ОСТ ( т) с ростом трудозатрат т на принятие решения и меньше амплитуда выбросов. [36]
Поэтому с точки зрения улучшения процесса выключения и снижения воздействия фронта прямого напряжения на тиристоры, находящиеся в закрытом состоянии, уменьшение сопротивления ЯС-цепи, ведущее к уменьшению du / dt, благоприятно, несмотря на некоторое увеличение амплитуды выброса напряжения. Предел здесь ставится возрастанием потерь в схеме преобразователя. Кроме того, необходимо обеспечивать затухание колебаний в LRC-контуре к моменту следующей коммутации. [37]
![]() |
Схема мостового преобразователя с самовозбуждением. [38] |
Кроме того, напряжение на транзисторе может иметь выброс, возникающий в момент его выключения. Амплитуда выбросов зависит от индуктивности рассеяния обмоток трансформатора и скорости изменения тока коллектора. [39]
Величина выброса Д / Выбр превышает заданное значение. Для уменьшения амплитуды выброса необходимо увеличить Сн. [40]
![]() |
Переходные процессы при переключении кремниевых транзисторов. [41] |
Надо иметь в виду, что поскольку знак выброса и остаточного сигнала в каждый полупериод совпадают, действующее значение первой гармоники возрастает. Исследования показали, что амплитуда выброса зависит от величины напряжения управления и его знака, длительности фронта импульса тока управления, сопротивления нагрузки. Эксперименты подтверждают, что амплитуда выброса практически не зависит от частоты тока управления. На рис. 4 - 16 показаны частотные зависимости величины помехи для кремниевых и германиевых транзисторов. [42]
Перекос плоской вершины импульса является критерием прохождения низкочастотных составляющих сигнала. Колебательный выброс характеризуется отношением амплитуды выброса к амплитуде прямоугольного неискаженного импульса. [43]
В данном примере амплитуда выброса тока оказалась незначительной, так как емкость коллектора, сглаживающая этот выброс, сравнима с емкостью нагрузки. Однако на практике встречаются случаи, когда амплитуда выброса тока достигает большой величины. При этом, если ток коллектора превышает свою максимально допустимую величину в импульсе, то возможен выход из строя транзистора. [44]
![]() |
Зависимость паразитной постоянной времени конических и диско. [45] |