Cтраница 1
Наличие свободной валентности на поверхности является, с точки зрения электронной теории, необходимым, хотя и не всегда достаточным условием протекания реакции в адсорбционном слое. [1]
Наличие свободных валентностей на поверхности электрон - ных катализаторов определяет, прежде всего, их адсорбционные ( хемосорбционные) свойства. При этом возможны два различных механизма процесса хемосорбции. [2]
Наличие свободных валентностей на поверхности кристалла определяет, прежде всего, адсорбционные свойства образца, поскольку соприкасающиеся с поверхностью молекулы газа получают возможность взаимодействовать с отдельными частями кристаллической решетки. Теоретически можно представить три возможных типа взаимодействия. [3]
Наличие свободных валентностей на поверхности электронных катализаторов определяет, прежде всего, их адсорбционные ( хемо-сорбционные) свойства. При этом возможны два различных механизма процесса хемосорбции. [4]
Схема превращения слабо гомеополярной связи в прочную в результате перехода электрона из зоны проводимости ( / или из валентной зоны ( 2. [5] |
Наличие свободных валентностей на поверхности кристалла определяет, прежде всего, адсорбционные свойства образца, поскольку соприкасающиеся с поверхностью молекулы газа получают возможность взаимодействовать с отдельными частями кристаллической решетки. Теоретически можно представить три возможных типа взаимодействия. [6]
Наличие свободной валентности на поверхности кристалла является причиной адсорбционного взаимодействия между кристаллом и молекулами в газовой ( или жидкой) фазе. [7]
Наличие свободных валентностей на поверхности электронных катализаторов определяет, прежде всего, их адсорбционные ( хемосорбци-онные) свойства. При этом возможны два различных механизма процесса хемосорбции. [8]
Схема превращения слабо гомеополярной связи в прочную в результате перехода электрона из зоны проводимости ( 1 или из валентной зоны ( 2. [9] |
Наличие свободных валентностей на поверхности кристалла определяет, прежде всего, адсорбционные свойства образца, поскольку соприкасающиеся с поверхностью молекулы газа получают возможность взаимодействовать с отдельными частями кристаллической решетки. Теоретически можно представить три возможных типа взаимодействия. [10]
Схема гетерогенно-каталитической реакции обмена AB CD - AC - f - BD на полупроводнике. [11] |
Наличие свободной валентности на поверхности кристалла является причиной адсорбционного взаимодействия между кристаллом и молекулами в газовой ( или жидкой) фазе. [12]
Наличие свободной валентности мало влияет на колебательные спектры радикала. [13]
Благодаря наличию свободных валентностей активированные молекулы дивинила соединяются между собой с образованием длинных цепных молекул полимера. [14]
Благодаря наличию свободной валентности радикалы характеризуются высокой реакционной способностью и играют большую роль в химических процессах; многие реакции не протекают вообще без их участия. Свободные радикалы могут быть получены из молекул соединений в результате отщепления от них отдельных атомов или групп. В радикалах атомы углерода, кислорода или других элементов находятся в необычном валентном состоянии. [15]