Наличие - уровни
Cтраница 2
Если выполнить тот же эксперимент при наличии уровней прилипания, но при условии, что время захвата больше времени пролета, следует ожидать, что начальный ток будет соответствовать случаю свободных носителей при отсутствии уровней прилипания. [16]
В фермионном случае система устойчива и при наличии уровней с отрицательными е - Если нет дискретных уровней с е О, то основным состоянием Н0 будет то, в котором все уровни с отрицательными энергиями заполнены, а все уровни с положительными энергиями свободны. [17]
Это происходит вследствие того, что при наличии до-норных уровней вблизи зоны проводимости она обогащается электронами за счет атомов донора. Атом донора, отдав лишний электрон, становится положительным ионом. Расположение акцепторных уровней вблизи занятой зоны ведет к тому, что из занятой зоны переходит электрон на уровень акцепторной зоны. Эти электроны превращают атомы акцептора в отрицательные ионы, а на месте электрона в заполненной зоне образуется дырка. [18]
Размещение ультразвуковых установок в общем помещении допускается при наличии уровней звуковых давлений, не превышающих предельных значений; в противном случае ультразвуковые установки обязательно должны быть изолированы экранирующими кожухами. [19]
Однако результаты измерения могут сильно искажаться из-за влияния рекомбинации носителей на поверхности и наличия уровней прилипания. [20]
Срабатывание триггера Та происходит при поступлении входного импульса ( вх 1) и наличия единичных уровней на выходах триггеров Ti и Т % в момент, предшествующий появлению этого импульса. Такое переключение триггеров можно обеспечить, подавая входной импульс на триггер, подлежащий переключению, через схему И, на один из входов которой поступает входной импульс, на другие - выходные импульсы предшествующих триггеров. На рис. 9.8 приведена схема счетчика с ускоренным переносом, выполненная на синхронных У / С-триг-герах. Схема каждого из использованных У / С-триггеров соответствует рис. 6.50. Входные импульсы счетчика поступают на вход синхронизации. [21]
Эффект Шубникова - де Гааза-осцилляционная зависимость электросопротивления металла от напряженности магнитного поля, обусловленная наличием уровней Ландау. [22]
Однако величина т, как можно показать, соответствует стационарному времени жизни электронов при наличии уровней прилипания. [23]
В фоторезисторах на основе CdS значение РПор зависит от частоты ( рис. 9.2): наличие быстрых уровней прилипания приводит к увеличению Рпор с ростом /, а наличие медленных уровней прилипания либо медленных рекомбинационных центров - к уменьшению Рпор. [25]
 |
Однофазная МС с N устойчивыми состояниями. [26] |
МС каждому устойчивому состоянию соответствует наличие фазного уровня 0 лишь на одном из выходов и наличием уровней 1 на всех остальных выходах МС. [27]
Указанная тонкая структура полосы может наблюдаться лишь при поглощении рентгеновых лучей в газах или парах, где возможно наличие неискаженных внешних уровней. Костер и Ван-дер - Тюк [ 127 наблюдали такую структуру рентгеновой полосы поглощения в газообразном аргоне. В случае молекулярных соединений на строении края полосы сказывается связь атомов в молекуле. [28]
Эффекты, связанные с проникновением, можно выделить в первом приближении также и у некоторых других элементов; но интерпретация часто осложнена из-за наличия низко лежащих уровней, относящихся к разным электронным конфигурациям, но имеющим одинаковые полные спиновое квантовое число и квантовое число углового момента. Вследствие-этого возможен резонанс между конфигурациями, и энергии уровней смещаются. Осложнения такого рода имеются и у некоторых из перечисленных выше атомов. Эти эффекты называются воз пушения ми серий или взаимодействиями конфигураций. Они рассмотрены подробно в книгах Уайта ( [1], гл. Кондона и Шортли ( [2], гл. [29]
Страницы: 1 2 3 4