Наличие - уровни
Cтраница 4
Зонная теория твердого тела наглядно объясняет и роль донорных и акцепторных примесей в полупроводниках. Если же мы имеем полупроводник с донорной примесью или я-полупроводник ( рис. 1 - 26 6) то благодаря наличию уровней донорной примеси, находящихся на сравнительно небольшом расстоянии AWi ( примерно 2 - 20 фДж) от нижнего края свободной зоны, электроны примеси могут переходить в свободную зону под действием сравнительно незначительных внешних энергетических воздействий; это объясняет высокую проводимость полупроводника с я примесью по сравнению с собственным полупроводником. [46]
Система интенсивно эксплуатировалась на заводе авиационных двигателей на контроле лопаток турбин и компрессоров. Сравнение работы системы с традиционным визуальным контролем показало, что она может выявлять очень маленькие люмине-сцирующие следы дефектов при наличии нормальных уровней фоновой люминесценции, обеспечивать нужную чувствительность и повторяемость результатов, а также повышать надежность осмотра. [47]
Выбор схем и условий товародвижения зависит от ряда факторов: необходимой скорости выполнения заказов, транспортных возможностей, уровня организации складской сети, наличия достаточных уровней страховых запасов, цен и тарифов по перемещению грузов. Скорость и надежность товародвижения связаны с затратами на сортировку, упаковку, комплектование товаров, отправку грузов; поддержание запасов, складирование, транспортировку. Затраты товародвижения составляют существенную часть затрат на организацию сбыта. [48]
Это рассуждение справедливо только по отношению к нуклонам, находящимся в яевозбужденном ядре. Для нуклона, влетевшего в ядро извне и возбудившего ядро на энергию, равную или большую ew ( ew - энергия связи нуклона), столкновения становятся возможными из-за наличия свободных вышерасположенных уровней. Здесь формула (14.3) верна, а модель ядерных оболочек неприменима. [49]
Выражение (6.26) идентично выражению (6.8) для среднеквадратичного шума фотопроводника без уровней прилипания. Действие уровней прилипания приводит к сужению полосы пропускания системы от значения, соответствующего времени жизни свободных носителей, до значения, определяемого временем жизни захваченных носителей, которое является обычным временем ответа фотопроводника при наличии уровней прилипания. [50]
Действительно, для того чтобы участвовать в переносе тока, электрон должен получить некоторую дополнительную энергию от электрического поля и перейти на более высокий ( вакантный) уровень, где он может передвигаться ( дрейфовать) в соответствии с приложенным полем. Однако если все уровни в зоне заняты, а следующая разрешенная зона ( зона проводимости) с вакантными уровнями находится далеко, и энергия, необходимая для перевода электрона с верхнего уровня валентной зоны на нижний уровень зоны проводимости, значительно превосходит энергию поля, то ток через систему не может пойти, несмотря на наличие свободных уровней. [51]
Глубина доминирующих более мелких ловушек была также определена совершенно независимым способом, а именно методом токов изотермического спада ( ТИС) ( см. гл. Полученное значение 0 6 эВ хорошо согласуется с величиной, измеренной методом ТОПЗ. По-видимому, при наличии доминирующих уровней захвата предположение о гауссовом распределении ловушек вокруг этих уровней физически вполне обоснованно. [53]
Оказывается, уровни прилипания весьма сильно сказываются в нестационарных условиях, изменяя характер релаксации неравновесной проводимости. Однако и в стационарных условиях наличие уровней прилипания существенно влияет на фотопроводимость. Вопрос о влиянии прилипания на стационарные характеристики и релаксацию неравновесной проводимости рассматривается ниже для монополярной ( раздел I) и биполярной ( раздел II) собственной фотопроводимости. Такое рассмотрение требует принятия определенных конкретных моделей. В качестве таких конкретных моделей используются: в разделе I - модель большой концентрации центров рекомбинации ( см. § 23, Б), естественно объясняющая монополярный характер фотопроводимости при собственном возбуждении, а в разделе II - модель малой концентрации центров рекомбинации ( § 23, А), наиболее подходящая для биполярной фотопроводимости. [54]
Страницы: 1 2 3 4