Cтраница 3
В фоторезисторах на основе CdS значение РПор зависит от частоты ( рис. 9.2): наличие быстрых уровней прилипания приводит к увеличению Рпор с ростом /, а наличие медленных уровней прилипания либо медленных рекомбинационных центров - к уменьшению Рпор. [31]
По результатам комплексных исследований контролируются: динамика профилей притока и дренирования в добывающих скважинах, профилей приемистости и поглощения в нагнетательных; динамика параметров при-забойных зон скважин: коэффициентов фильтрационных сопротивлений и проводимости kh / i; динамика забойных и пластовых давлений; состояние ствола скважин, наличие уровней жидкости ( вода, конденсат) и зон газожидкостного барботажа. [32]
Заключение о существовании уровней локализации различной глубины подтверждается и различием показателя затухания а у фосфоров, возбуждавшихся светом различной частоты. Наличие уровней разной глубины, естественно, усложняет закон затухания длительного свечения. [33]
При обычном учете воздействие многих факторов, в том числе и изменение структуры товарооборота вуалируется и обезличивается в средних показателях издержек, исчисленных в процентах ко всему товарообороту. Наличие дифференцированных уровней издержек позволяет выявить рентабельность торговли не только в целом, но и по отдельным товарам и товарным группам. [34]
Уровни Ландау уширяются в узкие зоны с приблизительной шириной Н / т и с очень малым перекрытием. Поэтому наличие уровней Ландау становится существенным, и можно ожидать, что будет доминировать проявление обычных эффектов де Гааза - ван Альвена и Шубникова - де Гааза. [35]
Нижняя разрешенная зона называется валентной зоной. При наличии свободных уровней в валентной зоне электроны могут изменять свою энергию под воздействием электрического поля. Если же все уровни зоны заполнены, то валентные электроны не смогут принять участие в проявлении электропроводности полупроводника. [36]
Хотя и не было установлено, какого типа уровни вводит железо в энергетический спектр германия, можно предположить по аналогии с результатами Данлэпа для золота [6], что оба эти уровня являются акцепторными. Это предположение позволяет объяснить наличие уровней прилипания для дырок в электронных образцах. Пусть концентрация атомов железа есть N и каждый из этих атомов создает два акцепторных уровня. Если кристалл содержит избыток дырок благодаря наличию неконтролируемых примесей с малой энергией ионизации, то при легировании железом не удастся получить высокоомный материал. Поэтому предположим, что за счет неконтролируемых примесей с малой энергией ионизации кристалл содержит п избыточных электронов в единице объема. [37]
Рассмотрим, насколько реален процесс стабилизации молекулы путем излучения, связанного с колебательным и электронным переходами. Для стабилизации необходимо прежде всего наличие комбинирующихся уровней. Если сталкиваются два одинаковых атома, то излучения света вообще не может быть из-за отсутствия электрических зарядов, следовательно, не может быть комбинирующихся вращательных и колебательных уровней. Только если сталкивающиеся атомы обладают различной массой, появляются комбинирующиеся колебательные уровни. Возможность стабилизации возникающей молекулы в этом случае легко определить путем сопоставления продолжительности соударений т и времени жизни возбужденной молекулы то. Очевидно, что процесс стабилизации будет возможен, если обе величины т и TO будут одного порядка. [38]
Рассмотрим, насколько реален процесс стабилизации молекулы путем излучения, связанного с колебательным и электронным переходами. Для стабилизации необходимо прежде всего наличие комбинирующихся уровней. Если сталкиваются два одинаковых атома, то излучения света вообще не может быть из-за отсутствия электрических зарядов, следовательно, не может быть комбинирующихся вращательных и колебательных уровней, Только если сталкивающиеся атомы обладают различной массой, появляются комбинирующиеся колебательные уровни. Возможность стабилизации возникающей молекулы в этом случае легко определить путем сопоставления продолжительности соударений т и времени жизни возбужденной молекулы TO. Очевидно, что процесс стабилизации будет возможен, если обе величины т и т0 будут одного порядка. [39]
Рассмотрим, насколько реален процесс стабилизации молекулы путем излучения, связанного с колебательным и электронным переходами. Для такой стабилизации необходимо прежде всего наличие комбинирующихся уровней. Молекула, построенная из двух одинаковых атомов, вследствие отсутствия электрических зарядов вообще не может излучать электромагнитные колебания. [40]
Рассмотрим, насколько реален процесс стабилизации молекулы путем излучения, связанного с колебательным и электронным переходами. Для такой стабилизации необходимо прежде всего наличие комбинирующихся уровней. [41]
Подчеркнем, что величина / в основном но меняется при наличии уровней прилипания. [42]
Таким образом, в этом случае время фотоответа приближается к времени жизни свободных электронов. С другой стороны, сдвиг порога возникновения токов, ограниченных объемным зарядом, связанный с наличием уровней прилипания, не зависит от их сечения захвата. Следовательно, появляется по крайней мере формальная возможность отклонения от симметричного и взаимно компенсирующего влияния уровней прилипания на время пролета и время фотоответа, отмеченного в § 1 настоящей главы. [43]
При такой программе обследования недоучтенным оказывается уровень образования, который классифицируется ( окончание аспирантуры, докторантуры) и не классифицируется ( курсы, факультеты повышения квалификации и др.) по ступеням обучения. Практически не фиксируется в переписи профиль ( направление) обучения: последовательность повышения однопрофильного образования и наличие разнопрофильных уровней подготовки. [44]
Здесь индекс 1 относится к одному типу лопушок, а индекс 2-ко второму. Физически существенно здесь то, что часть ловушек каждого типа в стационарном состоянии заполнена благодаря действию света независимо от наличия уровней другого типа. [45]