Направление - легкое намагничивание
Cтраница 2
Два из них намагничены вдоль направления легкого намагничивания, а два ( замыкающие) - вдоль направления трудного намагничивания. [16]
Каждое зерно-кристалл ферромагнетика имеет несколько направлений легкого намагничивания. Весь объем кристалла делится на области, называемые доменами, в кото - рых спины электронов всех атомов, входящих в этот домен, ори - N ентированы в одном из направлений легкого намагничивания. [17]
Как видно, [100] является направлением легкого намагничивания, а [111] - трудного намагничивания. [18]
Рассмотрим ферромагнитный кристалл с одним направлением легкого намагничивания в отсутствии внешне приложенного магнитного поля. Если он целиком будет иметь одно значение магнитной поляризации М, то возникнет, как только что было указано, его собственное внешнее поле. [19]
Если поверхности образца несколько отклоняются от направления легкого намагничивания, часто наблюдается появление елочной доменной структуры ( фиг. Схема образования такой структуры дана на фиг. Подобное явление понижает поверхностную свободную энергию намагничивания. [20]
Как следует из сказанного, стабилизация направления легкого намагничивания в доменах влияет прежде всего на процессы намагничивания вращением. При таких процессах стабилизация приводит к тому, что вращающий момент, обусловленный анизотропией кристалла, возрастает на величину, определяемую вкладом наведенной анизотропии. [21]
 |
Кривая намагничи - [ IMAGE ] Кривые намагничивания монокри. [22] |
Характер кривых намагничивания монокристалла кобальта в направлении легкого намагничивания и в перпендикулярном к нему направлении также нетрудно объяснить. Действительно, поскольку кобальт имеет лишь одно направление легкого намагничивания, приложение поля в этом направлении вызывает намагничивание только за счет процесса смещения. Поэтому насыщение достигается при сравнительно малых полях. Приложение же поля в направлении, перпендикулярном к направлению легкого намагничивания, вызывает намагничивание только за счет процесса вращения. [23]
 |
S. 7. Частотные характеристики (. 1 и [ Ug6M кобальтового фер-роксплана состава ( ВаО 0177 - ( СоО о ц7 - ( Ре203 о 7ое. пунктир-изотропный, сплошная линия - анизотропный феррит. [24] |
Феррокспланы имеют кристаллическую решетку, в которой направление легкого намагничивания расположено в определенной плоскости. Это - коренное отличие феррокспланов от ферритов с кубической-решеткой. Ферриты имеют гексогональную кристаллическую решетку магнетоплюмбита МеО - ( Ре203); здесь Me - ионы бария, стронция или свинца. Обычно используется феррит ВаО ( Ре203) 0, в котором ионы бария частично замещены ионами кобальта, никеля, магния, цинка, а также Мп, Си и др. Выпускаются как изотропные феррокспланы с беспорядочно расположенными плоскостями легкого намагничивания, так и анизотропные с параллельными плоскостями намагничивания. [25]
 |
Кривые намагничивания ферромагнетика. а - основная. б - магнитной проницаемости.| Прямоугольная петля гистерезиса ферромагнетика. [26] |
Последняя достигается созданием текстуры, при которой направления легкого намагничивания всех кристаллов практически совпадают. Если внешнее магнитное поле действует в направлении легкого намагничивания, то изменение намагниченности ферромагнетика будет происходить лишь за счет смещения границ доменов. [27]
 |
Скачки Баркгаузена на кривой намагничивания.| Блок-схема установки для измерения параметров эффекта Баркгауаена. [28] |
Векторы намагниченности этих областей направлены вдоль так называемых направлений легкого намагничивания. Намагниченность значительного объема материала в целом равна нулю, так как суммарные магнитные потоки этих областей замкнуты внутри объема. [29]
Будем рассматривать кубический или одноосный кристалл с направлением легкого намагничивания, параллельным оси кристалла. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5