Направление - легкое намагничивание
Cтраница 3
К образующие конуса с осью [0001] являются направлениями легкого намагничивания. [31]
Это магнитное поле ориентирует каждую частицу порошка Направлением наиболее легкого намагничивания вдоль направления поля, в котором в дальнейшем намагничивается готовый мапнит. После извлечения из пресс-формы прессовка подвергается окончательному спеканию. [32]
В кристаллах имеет место магнитная анизотропия и существуют направления легкого намагничивания и направления трудного намагничивания. Например, в кристаллах железа, имеющих кубическую объемно-центрированную решетку, направления легкого намагничивания совпадают с направлением ребер куба, а монокристалл кобальта имеет одно направление легкого намагничивания, совпадающее с направлением гексагональной оси его решетки. [33]
В этих пленках толщиной около 0 1 мкм направление легкого намагничивания перпендикулярно поверхности, а намагниченность насыщения сохраняется, несмотря на сильные размагничивающие влияния. [34]
Таким образом, у монокристалла железа имеется шесть направлений легкого намагничивания, у никеля - восемь и у кобальта - два. Казалось бы, при отсутствии внешнего магнитного поля кристалл ферромагнетика благодаря действию обменных сил должен быть намагничен до насыщения вдоль одного из направлений легкого намагничивания ( рисунок 1.3.7), однако в этом случае появляются магнитные полюса, и во внешнем пространстве создается магнитное поле, в котором сосредоточена некоторая энергия. Следовательно, свободная энергия кристалла, определяемая суммой всех видов энергий, которые при определенных условиях могут превратиться в работу, не будет минимальной. Как известно из термодинамики, в таких системах будут самопроизвольно протекать процессы, направленные на понижение свободной энергии. [35]
Направление самопроизвольной намагниченности доменов совпадает с одним из направлений легкого намагничивания, а располагаются домены при кристаллизации так, что образуют замкнутые магнитные системы. [36]
 |
Обозначения плоскостей кубической решетки.| Кривые намагничивания монокристалла железа. [37] |
Энергия магнитной анизотропии способствует установлению векторов намагниченности вдоль направлений легкого намагничивания. Значение ее равно разнице энергий, необходимых для намагничивания кристалла до насыщения в трудном и легком направлениях, и характеризуется к о п-стантой кристаллографической анизотропии. В большинстве случаев последняя зависит от температуры. [38]
Таким образом, у монокристалла железа имеется шесть направлений легкого намагничивания, у никеля - восемь и у кобальта - два. Казалось бы, при отсутствии внешнего магнитного поля кристалл ферромагнетика благодаря действию обменных сил должен быть намагничен до насыщения вдоль одного из направлений легкого намагничивания ( рисунок 1.3.7), однако в этом случае появляются магнитные полюса, и во внешнем пространстве создается магнитное поле, в котором сосредоточена некоторая энергия. Следовательно, свободная энергия кристалла, определяемая суммой всех видов энергий, которые при определенных условиях могут превратиться в работу, не будет минимальной. Как известно из термодинамики, в таких системах будут самопроизвольно протекать процессы, направленные на понижение свободной энергии. [39]
Векторы намагниченности каждого из доменов направлены вдоль так называемых направлений легкого намагничивания. Ввиду хаотичности направлений этих векторов при отсутствии внешнего магнитного поля общая намагниченность всего объема материала равна нулю. [40]
 |
Очертания доменов различных ферромагнетиков ( фигуры Акулова.| Направления легкого, среднего и трудного намагничивания в монокристаллах железа, никеля, кобальта. [41] |
Из рис. 9 - 2 видно, что направлением легкого намагничивания для ячейки монокристалла железа будет ребро куба, а наиболее трудного - диагональ; для ячейки никеля направление вдоль ребра куба будет соответствовать, наоборот, направлению трудного намагничивания. В тех случаях, когда анизотропия в поликристаллических магнетиках выражена достаточно резко, принято говорить, что ферромагнетик облагает магнитной текстурой. Получение заданной магнитной текстуры имеет большое значение и используется в технике для создания в определенном направлении повышенных магнитных характеристик материала. [42]
Удельная энергия, которую необходимо затратить на перемагничи-вание из направления легкого намагничивания в направление трудного намагничивания ( заштрихованная зона на рис. 16.5), называется константой кристаллографической магнитной анизотропии К. В поликристаллических материалах эффекты анизотропии усредняются, поэтому магнитная анизотропия не обнаруживается. [44]
 |
Энергетические уровни си - их поляризации Р, 6СЛИ ЭКС-стемы протон-электрон. перимент проводится в магнит. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5