Направление - легкое намагничивание
Cтраница 5
При дальнейшем усилении поля начинается постепенный поворот вектора магнитного момента от направления легкого намагничивания к трудному, совпадающему в конечном итоге с направлением внешнего поля ( процесс вращения), и магнитное состояние материала достигает технического насыщения. Если продолжать усиливать поле, то наблюдается парапроцесс, заключающийся в слабом росте намагниченности, в пределе, достигающем значения истинного намагничивания. [61]
 |
Схематическое изображение расположения кристаллов относительно направления прокатки. [62] |
Элементарная ячейка железо-кремнистого сплава представляет собой объемноцентрированный куб, для которого направлениями легкого намагничивания являются его ребра, а направлению самого трудного намагничивания соответствуют пространственные диагонали. [63]
Вращающий момент, обусловленный анизотропией кристалла и препятствующий отклонению вектора намагниченности от направления легкого намагничивания, зависит от направления намагниченности. [64]
Полученная таким образом пленка обладает ярко выраженной одноосной магнитной анизотропией, причем направление легкого намагничивания совпадает с направлением магнитного поля, действовавшего в процессе образования пленки. Перпендикулярно этому направлению лежит направление трудного ( тяжелого) намагничивания. Созданную данным способом анизотропию называют наведенной. [65]
Страницы: 1 2 3 4 5