Направление - кристаллографическая ось
Cтраница 1
 |
Фазовые превращения ( а и двойникование ( б монокристаллов ПЭ при их растяжении в различных направлениях. [1] |
Направление кристаллографических осей в элементарной орто-ромбической ячейке ПЭ следующее: ось с, совпадающая с осями макромолекул, ориентирована перпендикулярно поверхности пластины, а оси а и Ъ совпадают с длинной и короткой диагоналями ромба. Секторный характер строения монокристаллов ПЭ определяет специфику их растяжения. [2]
 |
Влияние давления паров.| Изменение поверхностной проводимости антрацена во влажном воздухе для свежей ( / и прокорро-дировавшей на воздухе поверхности ( 2. [3] |
В зависимости от направления кристаллографической оси чувствительность электропроводности к парам иода различна. Пластинки, вырезанные перпендикулярно плоскости АВ, чувствительны уже при давлениях 10 4 мм рт. ст. Пластинки, параллельные АВ, нечувствительны в области малых давлений, но при больших давлениях иода проводимость увеличивается быстрее. Следует отметить, что не удалось получить изменения проводимости стильбена и нафталина под действием паров иода. [4]
Для хорошо ограненных кристаллов направление основных кристаллографических осей часто определяют по расположению ребер. Так, например, у кристаллов кубической формы направление внутренних кристаллографических осей [100], [010] и [001] совпадает с направлением трех взаимно перпендикулярных ребер. [5]
 |
Общий вид камеры РКСО для съемки лауэграмм ( а и эпиграмм ( б. [6] |
Рассчитывая рентгенограмму, определяют направление внутренних кристаллографических осей и необходимые углы поворота. Затем, пользуясь делениями шкал гониометрической головки, устанавливают ( юстируют) образец в заданном положении. [7]
 |
Возникновение преимущественной ориентации ( текстуры. [8] |
Следовательно, рост кристаллитов происходит преимущественно в направлении кристаллографических осей с наиболее плотной упаковкой атомов, что находится в полном соответствии с ранее высказанным положением о росте граней кристаллитов. Это положение остается верным до тех пар, пока процесс электрокристаллизации не осложняется действием поверхностно активных добавок, введенных в электролит, значительным выделением водорода и возникновением больших внутренних напряжений в осадке. Как только начинают действовать эти факторы, ведущие к резкому изменению соотношения а скоростях зарождения центров кристаллизации и их роста, так могут возникать самые различные оси текстуры. [9]
 |
Холоднокатаная сталь с ребровой текстурой. [10] |
На рис. 2 - 2, б показаны направления кристаллографических осей в плоскости листа холоднокатаной стали с ребровой текстурой. Направление ее легкого намагничивания совпадает с направлением прокатки стали, направление среднего намагничивания расположено под углом 90 к прокатке и направление трудного намагничивания находится под углом 55 к направлению прокатки стали. [11]
Такие псевдопогасания свидетельствуют о сверхпериодическом расположении атомов в направлении соответствующей кристаллографической оси. Так, на рентгенограмме вращения вокруг оси Y, снятой с кристалла imc - Pt ( NH3) 2 ( NCS) 2, четные слоевые линии оказались много интенсивнее нечетных. [12]
На рис. ИЗ показана форма кристаллов АОРи KDP и направление главных кристаллографических осей X, Y, Z этих кристаллов. [13]
В текстурованных материалах при совпадении направления внешнего поля с направлением кристаллографических осей легкого намагничивания зерен скачкообразные повороты векторов намагниченности совершаются почти одновременно. [14]
В текстурованных материалах при совпадении направления внешнего поля с направлением кристаллографических осей легкого намагничивания зерен скачкообразные повороты векторов намагниченности происходят почти одновременно. Эти скачки происходят при напряженности, близкой к коэрцитивной, после чего векторы J и Н практически совпадают по направлению. Поэтому петля гистерезиса принимает вид, показанный на рис. 1.4, в. Материалы с такой зависимостью В ( Н) называют материалами с прямоугольной петлей гистерезиса. [15]
Страницы: 1 2 3 4