Направление - кристаллографическая ось
Cтраница 2
В текстурованных материалах при совпадении направления внешнего поля с направлением кристаллографических осей легкого намагничивания зерен скачкообразные повороты векторов намагниченности совершаются почти одновременно. [16]
Поверхность металла острия не является абсолютно гладкой - в направлении кристаллографических осей кривизна поверхности несколько отличается от ее кривизны в других направлениях. [17]
Оси л:, у и z лежат в направлениях кристаллографических осей. Сц - хорошо известные упругие константы; члены с 8 и s относятся к энергии взаимодействия между углеродом и решеткой железа; члены с р и описывают взаимодействие между атомами углерода. [18]
Кристаллическим зерном называется область кристалла, внутри которой сохраняются неизменными направления кристаллографических осей. [19]
На рис. 110 показана форма кристаллов ADP и KDP и направление главных кристаллографических осей X, Y, Z этих кристаллов. [20]
Здесь могут быть небольшие отклонения от прямого пути, определяемого направлением кристаллографических осей пересекаемых зерен, что объясняется присутствием ранее существующих трещинок, ракоЕин или посторонних включений, наличием уязвимого, находящегося в неупорядоченном состоянии вещества на плоскостях скольжения и благодаря другим причинам. В результате получается узкая зигзагообразная трещина с заостренным концом, которая благодаря концентрации напряжений будет способствовать ослаблению материала и дальнейшему распространению трещины, даже в том случае, если она достигла такой стадии, когда электрохимическая коррозия становится замедленной в результате увеличения сопротивления работающих электрических цепей. [21]
Рассмотренные выше случаи ограничиваются декартовой системой координат, ориентированной в направлении кристаллографических осей. Разумеется, применяемые полупроводниковые элементы можно также вырезать из монокристалла под любым углом. В этом случае также возникают пьезорезистив-ные эффекты. Математически их расчет проводится преобразованием системы координат, причем новая система координат получается из первоначальной путем вращения и, как и та, снова является ортогональной. Таким образом получается расчет для общего случая. [22]
 |
Результаты исследования теплового расти гения монокристаллической окиси алюминия. [23] |
Верхняя кривая получена для образца, у которого геометрическая ось совпадает с направлением кристаллографической оси С, нижняя - для образца с геометрической осью, перпендикулярной направлению С. Черными кружочками обозначены результаты, полученные при измерении температуры образца термопарой, а незачерненными - пирометром. В области температур 900 - 1200 С температура в опытах измерялась как термопарой, так и пирометром, при этом результаты хорошо совпадали. [24]
В методе Сенармона между моделью и анализатором располагается пластинка в четверть волны, направления кристаллографических осей которой совпадают с взаимно перпендикулярными направлениями плоскостей пропускания анализатора и поляризатора, и составляют угол в 45 с главными направлениями в исследуемой точке модели. Разность хода определяется в монохроматическом свете в зависимости от угла поворота анализатора для получения погасания в рассматриваемой точке. [25]
Конечно, внешняя форма кристалла не всегда соответствует форме элементарной ячейки, но направление кристаллографических осей определяется формой элементарной ячейки. [26]
Анализ рентгеновского рассеяния в больших углах позволяет оценить изменение типов и размеров ячейки, направления кристаллографических осей, степени кристалличности, величины кристаллитов. Анализ малоуглового рентгеновского рассеяния дает информацию о толщине и ширине ламелей, характере их упаковки, наличии в сфе олитном образце неодно-родностей плотности. [27]
 |
Система теней, образованных упруго рассеянными протонами в монокристалле вольфрама. [28] |
В предшествующем пункте мы видели, что для частиц, вылетающих из узлов решетки, направления вдоль кристаллографических осей и плоскостей являются закрытыми. Поэтому, если узлы монокристалла в результате ядерных процессов ( а-распад, упругое и неупругое рассеяние про: тонов) станут излучателями частиц, то в направлениях осей и плоскостей должны наблюдаться своеобразные тени. Это явление было предсказано и обнаружено А. Ф. Туликовым ( 1965) и названо им эффектом теней. На рис. 8.16 приведена система теней, которая создана на фотопластинке протонами, упруго рассеянными в монокристалле вольфрама. Пятно в центре представляет собой тень от цепочек, выстроенных вдоль этой оси. Остальные точечные тени образованы цепочками других направлений. Наконец, темные линии представляют собой тени от кристаллических плоскостей. [29]
 |
Система теней, образованных упруго рассеянными протонами в монокристалле вольфрама. [30] |
Страницы: 1 2 3 4