Направление - рост - кристалл
Cтраница 1
Направление роста кристалла в условиях слоевого механизма и направленной подачи питающего кристалл материала не должно зависеть от направления подачи этого материала. Напротив, нормальный механизм роста при направленной подаче материала приводит к постепенному изменению направления роста кристаллов, приближая его к направлению подачи материала. Это происходит благодаря шероховатости поверхности роста и затенению одного элемента поверхности другим. [1]
Направление роста кристаллов в выростах практически совпадает с направлением потока атомов меди на поверхность растущего покрытия, что указывает на их чисто ростовую природу. В ряде случаев текстура отсутствует. Выросты слабо связаны как с подложкой, так и с самим покрытием. Они могут быть легко извлечены из покрытия пинцетом. [2]
Направление роста кристаллов металла шва зависит также от интенсивности отвода тепла от поверхности сварочной ванны. При сварке под флюсом ( и в особенности при электрошлаковой сварке) над растущими кристаллами находятся жидкий металл и шлак, которые уменьшают отвод тепла с поверхности сварочной ванны. Зерна при этом растут в направлении этой поверхности и приобретают более изогнутую форму. Уменьшение скорости теплоотвода облегчает условия всплывания шлаковых включений и удаления газов из металла шва. [3]
На направление роста кристаллов большое влияние оказывает форма шва. Различают две формы шва ( рис. 26): узкие ( с глубоким проваром), когда отношение ширины шва к его глубине меньше единицы, и ш и-рокие ( с неглубоким проваром), когда это отношение больше единицы. [4]
Каково направление роста кристалла в способе Степанова. [5]
Вследствие благоприятного направления роста кристаллов в большинстве случаев отсутствует так называемая зона слабины, наблюдаемая в швах большого сечения, сваренных в нижнем положении. Это же обстоятельство значительно снижает склонность швов-к образованию горячих трещин. Температурные условия в околошовной зоне характеризуются как большей погонной энергией по сравнению с отдельным слоем многослойной сварки, так и предварительным подогревом, создаваемым шлаковой ванной. Нагрев кромок начинается на уровне поверхности шлаковой ванны, а плавиться они начинают в непосредственной близости от металлической ванны. Между началом подогрева и плавлением проходит 2 - 3 мин и более, вследствие чего снижаются скорости нагрева и последующего охлаждения металла. [6]
Чтобы изменить направление роста кристаллов, необходимо соответствующим образом изменить условия отвода тепла от жидкого металла. Осевая направленность роста кристаллов, требующаяся вместо радиальной, предопределяет принципиально иной характер заливки жидкого металла в изложницу: скорость заливки должна быть равна скорости кристаллизации, глубина ванны жидкого металла не должна быть большой. [7]
Одновременное соосаждение молибдена, никеля и оксида алюминия приводит к резкому изменению направления роста кристаллов покрытия в направлении молибденового пучка. Никель локализуется преимущественно на границах кристаллов, а оксид алюминия равномерно распределяется по объему кристаллов. [8]
В случае триоксана и дикетена оси образующихся макромолекул, имеющих спиральную конформацию, совпадают с направлением роста кристалла мономера. В случае р-пропиолактона ось растущего полимера, имеющего почти плоскостную зигзагообразную конформацию, расположена перпендикулярно направлению роста кристалла мономера. [9]
Вследствие этого штриховое травление применяют для определения ориентации зерен, так как штриховка зерна представляет вектор направления роста кристалла, в то время как при выявлении поверхности зерен каждое зерно в светлом поле приобретает определенную освещенность. На октаэдрической поверхности штрихи не имеют предпочтительной ориентации, на додекаэдрической поверхности они лежат параллельно грани куба. [10]
Эти данные показывают, что ограничение текстуры не связано с наличием наклонных пучков; оно возникает в процессе изменения направления роста кристаллов, и чем сильней изменяется направление роста, тем выше степень ограничения. [11]
Таким образом, возможность удаления проросших дислокаций из растущего кристалла зависит от ориентации вектора Бюргер-са данного вида относительно оси дислокации и от ориентации оси дислокации по отношению к направлению роста кристалла. [12]
Тип формирующейся структуры ( с плоским фронтом роста, ячеистой, ячеисто-дендритной, равноосной, рис. 15.3) зависит от соотношения величин G и v, a также от направления роста кристалла. Так, например, в направлении роста [001] ячейки имеют вид квадратных стержней ( см. рис. 15.2), а в направлении [111] - трехгранных стержней. [13]
 |
Схема литья с нагревом формы и регулируемым перемещением кр истал л изатор а. [14] |
Технологическая схема получения отливок с направленной структурой сводится к затвердеванию жидкого металла в литейнсй форме с резко отличающимися свойствами теплопроводности вдоль и поперек требуемого направления структуры, с регулированием градиента температур вдоль направления роста кристаллов. [15]
Страницы: 1 2 3 4