Направление - рост - кристалл - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Жизнь похожа на собачью упряжку. Если вы не вожак, картина никогда не меняется. Законы Мерфи (еще...)

Направление - рост - кристалл

Cтраница 3


Вследствие оттеснения твердой фазой в процессе роста кристалла золото концентрируется в направлении к концу образца. Сопротивление быстро растет после того, как концентрация золота превысит определенную величину. Сопротивление кремния / ьтипа без примеси золота вдоль направления роста кристалла уменьшается незначительно.  [31]

32 Влияние температуры и способа приготовления образца ПЭ на дублет при 725 см 1. [32]

Ориентационные эффекты наблюдаются по изменению относительных интенсивностей при изменении наклона образца. Такие опыты были проделаны с отожженным образцом. Соответствующие изменения в относительных интенсивностях полос при 720 и 731 см 1 показаны на рис. 8.9, что является доказательством ориентирования цепей по толщине образца. Направление роста кристалла ( ось Ь) было перпендикулярно поверхности нуклеации.  [33]

34 Схема процесса электрошлаковой наплавки. [34]

При вертикальном положении наплавляемой поверхности облегчается всплывание газовых пузырьков, частиц шлака и удаление их из металла. Поэтому при ЭШН склонность к образованию пор и других неплотностей значительно ниже, чем при дуговой. Вследствие благоприятного направления роста кристаллов в наплавленном металле, полученном электрошлаковым способом, значительно снижается склонность к образованию кристаллизационных трещин. Этому также способствуют более низкие скорости нагрева и охлаждения околошовной зоны, кристаллизации ванны жидкого металла, чем при дуговой наплавке.  [35]

Существует тесная связь между доменной структурой кристаллов KNb03 и их общим совершенством. В кристаллах высокого качества, выращенных при правильно выбранных режимах кристаллизации и составе исходного расплава, встречаются только 90 -ные и 180 -ные домены. При этом первые, как правило, имеют сравнительно большую толщину ( до десятков микронов) и проходят через все сечение кристалла. Их стенки обычно оказываются параллельными направлению роста кристалла. Домены с 60 ( 120) - ными стенками или двойники описанного выше типа в них полностью отсутствуют.  [36]

Например, в случае полиэтилена показатель преломления света, поляризованного в направлении радиуса сферолита, выше, чем у поляризованного перпендикулярно. Из измерений показателей преломления сильно ориентированных фибрилл очевидно, что показатель преломления имеет наибольшее значение в направлении длины цепей. Он показал, что радиусы сферолитов являются направлениями роста кристаллов; при этом в полиэтилене развивается морфология, весьма сходная с кристаллической структурой короткоцепных углеводородов. Кристаллы последних растут в виде тонких пластинок, в которых цепи ориентированы перпендикулярно широким граням.  [37]

Согласно результатам исследований, с повышением температуры термообработки А с для всех коксов ямеет тенденцию Е постепенному повышению. Характер кривых определяется видом кокса. Такое изменение четко корредщруется со структурой этих коксов. УЗС легко графитируящегоач игольчатого кокса быстро уменьшается в направлении роста кристаллов по большей оси. Из сравнения аб-еолеткых величин УЭС эгах коксов ( таблица) видно что во всем интервале температур сохраняется отличие в разности между УЭС коксов, определенное параллельно и перпендикулярно оси прессования.  [38]

За фронтом затвердевания, по мере понижения температуры, вакансии должны исчезать. Они не могут диффундировать к свободной поверхности макроскопического образца достаточно быстро. Если имеются дислокации, они могут конденсироваться на них, заставляя их ползти. Только в том случае, если дислокации ползут в направлении роста кристалла, они остаются доступными для вакансий. Если это не имеет места, степень пересыщения вакансий возрастает, пока они не оказываются в состоянии конденсироваться сами по себе, образуя либо поры, либо петли краевых дислокаций. Устойчивое состояние может сохраняться при движении краевых дислокаций путем переползания за фронтом, кристаллизации параллельно ему, но любая часть такой линии может отставать и, таким образом, должна оставаться позади. Так получается картина удлиненных петель краевой дислокации с их растущими концами параллельно фронту кристаллизации, где они продвигаются путем абсорбирования вакансий. В результате возникают длинные линии краевой дислокации, стелющиеся вдоль оси роста. Обычным для них способом они формируются в субграницы так, что номинальный монокристалл разделяется на длинные ячейки, параллельные оси роста и отличающиеся в ориентировке углами поворота около данной оси. Это в точности соответствует наблюдаемой картине.  [39]

Если ферритиновые ядра кристаллические, их внешний вид должен быть близок геометрически их атомной структуре. Если кристаллиты ядра растут в виде правильного полиэдра, точно соответствующего пространству внутри белка, атомная структура ядра будет всегда специфически ориентирована относительно белка. Такое положение можно было бы ожидать, если бы ядра образовывались независимо от белка и действовали как матрицы для связывания субъединиц. Если же гидрат оксида железа растет в специфическом месте внутри возникшей ранее белковой оболочки, направление роста кристалла может определяться белком. Альтернативный путь - кристаллизация внутри белка - осуществляется беспорядочно в разных направлениях.  [40]

В результате таких наблюдений возникают два очень интересных вопроса. Во-первых, почему кристаллизация полимеров протекает именно таким образом. Сферолитовая структура, наблюдаемая в ряде полимеров, создает впечатление, что это обычный вид кристаллизации высокополимеров. Во-вторых, какова ориентация молекул и кристаллов в сферолитах, другими словами, какое направление по отношению к структуре кристалла и молекулярной цепи является направлением роста кристалла наружу.  [41]

Структурные единицы, видимые в этом случае в очень тонких пленках, значительно меньше сферо-литов в более толстых пленках, которые могут быть изучены при помощи обычного микроскопа, но вполне вероятно, что строение их одинаково. Значительно более правильная радиальная структура, обнаруживаемая оптическим микроскопом, обусловлена малой разрешающей способностью этого прибора; на фотографии отсутствуют детали и видна только некоторая усредненная картина. Изменения интенсивностей на фотографиях, полученных с помощью электронного микроскопа, вероятно, означают изменения толщины и плотности или того и другого вместе. Однако, не касаясь деталей, все же трудно избавиться от впечатления, что радиальные лучи представляют собой направления роста кристаллов.  [42]

Эта закономерность была использована для выяснения природы текстурообразований в покрытиях, получаемых из наклонных молекулярных пучков. Были получены покрытия соосаждения молибдена из двух молекулярных пучков в условиях, когда рост кристаллов при использовании одного пучка происходит в направлении пучка. Размер подложки был достаточно протяженным, для того чтобы можно было зарегистрировать изменение угла наклона кристаллов на разных расстояниях от оси пучка. Было установлено, что на участке покрытия, равноудаленном от источников пара компонентов, возникает аксиальная текстура. Направление роста кристаллов на этом участке нормально поверхности подложки. На остальных участках наблюдается ограниченная текстура, причем степень ее ограничения повышается при удалении от области с аксиальной текстурой. Направление роста кристаллов на участках с ограниченной текстурой не совпадает с направлением нормали к поверхности подложки. Оно приближается к направлению Молекулярного пучка с наибольшим углом падения, если плотность потоков в пучках одинакова.  [43]

Получение InSb основано на синтезе из чистых веществ в кварцевых ампулах в атмосфере инертного газа. Монокристаллы получают методами Чохральского и Бриджмена. Зонная перекристаллизация поликристаллов мало эффективна, так как примеси концентрируются по границам зерна. При зонной плавке монокристалла в чистейшем водороде акцепторные примеси скапливаются в начале слитка, а доноры - в его конце. Максимальную чистоту InSb имеет в середине слитка. Коэффициенты распределения многих примесей сильно зависят от направления роста кристалла.  [44]

В отливках может появляться газовая пористость. В отличие от усадочных газовые поры имеют почти правильную шарообразную форму с гладкими стенками. Причина появления газовой пористое ги в отливке заключается в повышенной газонасыщенности расплава. При кристаллизации вследствие резкого падения растворимости газы выделяются из раствора в виде самостоятельной фазы и образуют поры. Основной газ, вызывающий пористость в отливках, - водород. При большом содержании газов в расплаве отливка оказывается пораженной сотовидной пористостью - поры приобретают вид глубоких червоточин, вытянутых по направлению роста кристаллов.  [45]



Страницы:      1    2    3    4