Направление - рост - кристалл
Cтраница 2
А ( длинная тонкая молекула) образует тетрагональные иглы ( элементарная ячейка 16 7X16 7X6 70 А3); ось иглы ( по соображениям симметрии) имеет периодичность 6 7 А, а молекулярные оси, вероятно, при-блнзптелыю перпендикулярны направлению роста кристаллов. Главные грани по сторонам иглы содержат короткие трансляции решетки - высокая плотность узлов решетки. В общем было обнаружено, что кристаллы имеют линейные размеры, подобные обратным величинам параметров решетки. [16]
МС-г ыс-витамин А ( длинная тонкая молекула) образует тетрагональные иглы ( элементарная ячейка 16 7X16 7X6 70 А3); ось иглы ( по соображениям симметрии) имеет периодичность 6 7 А, а молекулярные оси, вероятно, приблизительно перпендикулярны направлению роста кристаллов. Главные грани по сторонам иглы содержат короткие трансляции решетки - высокая плотность узлов решетки. В общем было обнаружено, что кристаллы имеют линейные размеры, подобные обратным величинам параметров решетки. [17]
При плавках на частоте 800 кгц и значениях отношения более 38 - 103 град-сек-см 2 и значениях G более 90 град / см наблюдалось некоторое удлинение кристаллов; длина их не превышала 20 - 25 мм, поперечный размер зерен был меньше 0 5 мм, направление роста кристаллов беспорядочное. [18]
Наличие положительных сферолитов не обязательно означает радиальную ориентацию линейных молекул; так, например оптические свойства найлона 66 ( измеренные на образцах пленок, обладающих как плоскостной ориентацией, гак и ориентацией молекул) таковы, что образование положительных сферолитов возможно только в том случае, когда радиальный рост кристаллов происходил быв направлении водородной связи, перпендикулярно оси молекулы; положительный характер сферолита, если он обусловлен внутренним двулучепреломле-нием кристаллов, означает что радиальным направлением роста кристалла являются или оси линейных молекул полимера или направление водородных связей. Наличие положительных и отрицательных сферолитов в одном и том же полимере может означать, что либо изменяется, кристаллографическое направление роста, либо действуют какие-то другие факторы. Одной из возможных причин положительного двулучепреломления в сферолитах является радиальное двулу-чепреломление, возникающее за счет напряжений, вызванных сжатием при кристаллизации ( стр. [19]
Способу гетерогенной кристаллизации фторфлогопита при медленном охлаждении массы расплава присущ ряд существенных недостатков, которые обусловливают спонтанность процесса и, как следствие, низкую воспроизводимость результатов: 1) большое и нерегулируемое число центров кристаллизации, возникающих на дне тигля, если кристаллизация проводится снизу вверх, или на поверхности расплава при охлаждении его сверху; 2) вогнутый вид изотермической поверхности кристаллизации, определяемый тем, что отвод тепла ведется от периферии ( нагревателей) к центру, в результате чего преимущественным является направление роста кристаллов от боковой поверхности тигля к его оси, что не соответствует условиям получения крупных кристаллов слюды. Такой же направленности растущих кристаллов способствует значительный теплоотвод по стенкам металлического тигля. Даже при направленном отводе тепла от дна тигля тепловые потоки через наросший слой кристаллов и по стенкам тигля будут близкими по величине, следовательно, и ориентироваться плоскостью максимального отвода тепла ( 001) кристаллы будут как от дна, так и от стенки тигля; 3) массовая кристаллизация вызвана высокой скоростью отвода тепла; 4) малый градиент температуры по высоте расплава ( 0 3 С / см), который может быть создан без перегрева расплава. [20]
 |
Изменение направленности кри - основного металла растут на-сталлизации металла шва в зависимо - / J0 ч. [21] |
Широкие швы с меньшей глубиной провара обладают лучшими механическими свойствами и большей стойкостью против образования трещин, чем узкие швы с глубоким проваром. Направление роста кристаллов металла шва зависит также от интенсивности теплоотвода с поверхности сварочной ванны. При замедленном охлаждении поверхности ванны кристаллы растут в направлении этой поверхности и приобретают более изогнутую форму. При уменьшении скорости теплоотвода с поверхности сварочной ванны при сварке под флюсом, а тем более при наличии над растущими кристаллитами значительного объема сильно нагретого жидкого металла и шлака при электрошлаковой сварке создаются благоприятные условия для всплывания шлаковых включений и удаления газов из металла шва. [22]
Вообще в сварочной ванне градиент температуры вблизи границы раздела твердой и жидкой фаз значительно больше, чем в условиях кристаллизации сплава в изложнице или форме. Отсюда и линейные размеры двухфазной области в направлении роста кристаллов невелики, особенно для сплаво с небольшим температурным интервалом солидус - ликвидус. В связи с этим элементарные кристаллы не могут сильно развиваться в боковые стороны. [23]
Направление роста кристалла в условиях слоевого механизма и направленной подачи питающего кристалл материала не должно зависеть от направления подачи этого материала. Напротив, нормальный механизм роста при направленной подаче материала приводит к постепенному изменению направления роста кристаллов, приближая его к направлению подачи материала. Это происходит благодаря шероховатости поверхности роста и затенению одного элемента поверхности другим. [24]
 |
Схема литья с нагревом формы и регулируемым перемещением кр истал л изатор а. [25] |
Возможности изменения градиента температур в жидкой фазе ограничены допустимым перегревом жидкого металла и условиями его конвекции в литейной форме, поэтому регулируемой величиной является скорость затвердевания, определяемая градиентом температуры в твердой фазе Гт. Таким образом, направленное затвердевание обеспечивается регулируемым направленным теплоотводом, наиболее интенсивным в направлении требуемого роста кристаллов и минимальным - в поперечном направлении. [26]
В случае триоксана и дикетена оси образующихся макромолекул, имеющих спиральную конформацию, совпадают с направлением роста кристалла мономера. В случае р-пропиолактона ось растущего полимера, имеющего почти плоскостную зигзагообразную конформацию, расположена перпендикулярно направлению роста кристалла мономера. [27]
 |
Полюсные фтуры молибденовых покрытий толщиной 20 мкм. [28] |
Наиболее наглядно процессы роста совокупностей кристаллов при соосаждении компонентов могут быть изучены при использовании молекулярных пучков, получаемых из разных источников. В [24] было показано, что при подаче материалов к поверхности роста совокупности кристаллов из разных источников под разными углами к, фронту роста направление роста кристаллов представляет собой векторную сумму двух векторов, которые по направлению совпадают с направлениями молекулярных пучков, а по модулю - с плотностью потока в них. [29]
Степень ориентации расплава при сдвиге можно регулировать, изменяя величину деформации материала. На рис. 2 показана микрофотография образца после удаления парафина; этот образец подвергался очень интенсивному напряжению сдвига с помощью шпателя, которЫхМ деформировали расплав смеси полиэтилен - парафин на стекле с угольной подложкой. Направление роста кристаллов хорошо заметно на этом снимке. Плотность образующихся зародышей столь велика, что оказывается ограниченным боковой рост ламелярных кристаллов. [30]
Страницы: 1 2 3 4