Напряжение - баз
Cтраница 2
Ток эмиттера определяется в основном напряжением база - эммиттер и очень слабо зависит от напряжения на коллекторе. Отсюда следует, что и ток коллектора 1К а / э очень слабо зависит от напряжения коллектор - эмиттер. [16]
По входной статической ВАХ транзистора определяется напряжение база - эмиттер 1 / БЭ 0 5 В. [17]
Rs, где вэ - - переменная составляющая напряжения база - эмиттер; - переменная составляющая эмиттерного тока; i3 - R3 - падение напряжения, представляющее собой напряжение обратной сязи ыос, пропорциональное току. [18]
Дс максимально, падение на Д) минимально, напряжение база - эмиттер транзистора минимально, a R2 имеет наименьшее значение. [19]
 |
Основные схемы цепей смещения в каскаде с полупроводниковым. [20] |
Как показано в [2], в необходимых случаях падение напряжения база - эмиттер может быть приближенно учтено без существенного усложнения методики расчета цепей смещения. [21]
Входной сигнал не вызывает перегрузки, если напряжение на транзисторе ( напряжение база - коллектор) не становится ниже 0 2 - 0 3 в. Уменьшение до нуля этого напряжения приводит к росту базового тока, заряжающего переходной конденсатор, а при дальнейшем росте амплитуды входного сигнала коллекторный переход открывается и на выходе возникает блокирующий импульс обратной полярности. [22]
На эквивалентной схеме рис. 134 эффект потенциального барьера учитывается током 1 А есееу пропорциональным напряжению база - коллектор. [23]
При этом часто бывает так, что формирование задержки и фронта может происходить, когда напряжение база - эмиттер исследуемого транзистора не достигло своего порогового значения. В этом случае аппроксимация входной характеристики транзистора при расчете с помощью одной прямой может привести к существенной неточности. [24]
 |
Зависимость напряжения на выходе выпрямителя от напряжения питающей сети. [25] |
Изменение прямого падения напряжения на диоде Д6 в зависимости от температуры компенсирует влияние температуры на напряжение база - эмиттер триада ПТ. Диод Д7 действует как шунтирующий вентиль для поддержания тока в нагрузке и дросселе фильтра, когда оба тиристора заперты. Он способствует поддержанию устойчивости всей схемы. [26]
Очевидно, такая система чувствительна к допустимым производственным разбросам прямого падения напряжения на Д, напряжению база - эмиттер транзистора, а также к значению внутреннего сопротивления и напряжения источника Vs. Для транзистора с большим усилением ток базы 0 92 ма может включить 50 - 60 ма коллекторного тока; диод Д будет пропускать при этом ток до 60 ма. При таком токе прямое падение на нем составляет 0 7 в, и транзистор окажется смещенным в прямом направлении. [27]
Характеристики германиевого ( МП41) и кремниевого ( П307) транзисторов, дающие зависимость коллекторного тока от напряжения база - эмиттер. [28]
 |
Схема системы для телеизмерения глубинных параметров скважин, эксплуатируемых погружными электронасосами. [29] |
В момент освещения фотодиода ( при прохождении выреза диска перед фотодиодом) сопротивление последнего резко уменьшается, уменьшается напряжение база - эмиттер и триод ПТ-1 запирается. Это вызывает срабатывание триггера, собранного на триодах ПТ-2 и ПТ-3, и на выходе схемы возникает импульс, продолжительность которого определяется временем освещенности фотодиода. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5