Напряжение - баз
Cтраница 4
Ток коллектора транзистора Г2 возрастает, а потенциал коллектора Т2 становится более положительным относительно потенциала земли. Напряжение база - эмиттер транзистора Т уменьшается, что приводит к возрастанию внутреннего сопротивления транзистора Т и падения напряжения на нем. Выходное напряжение при этом уменьшается, стремясь к прежнему значению. [46]
Напряжения база - эмиттер и затвор - исток, управляющие выходным током транзистора, равны разности входного и выходного напряжений. Эмиттер-ный повторитель обладает более низким выходным сопротивлением, чем исто новый, и его коэф. [47]
 |
Схемы компенсационного стабилизатора последовательного типа. [48] |
Ток коллектора транзистора Т2 возрастает, а потенциал коллектора Т2 становится более положительным относительно потенциала земли. Напряжение база - эмиттер транзистора Т уменьшается, что приводит к возрастанию внутреннего сопротивления транзистора Т и падения напряжения на нем. Выходное напряжение при этом уменьшается, стремясь к прежнему значению. [49]
А, то в базу должен быть подан прямой ток в 135 мка. Величина напряжения база - эмиттер при этом прямом токе может быть получена из кривой IB f ( VB) ( фиг. [50]
 |
Генераторы пилообразного напряжения. [51] |
От распространенных устройств, генерирующих пилообразные колебания, данная схема отличается тем, что в нее введен источник стабилизированного тока, который заряжает конденсатор, формирующий пилообразное напряжение. В обычных схемах напряжение база - эмиттер транзистора, являющегося источником постоянного тока, зависит от температуры. В результате при изменении температуры изменяется ток транзистора и, как следствие, частота выходных колебаний. Однако в генераторе на таймере частота сохраняется стабильной. При соединении выводов 2 и 6 таймер запускается своим собственным сигналом и работает как автоколебательный мультивибратор. [52]
На рис. 4.6 показана схема с диодом, включенным в базовую цепь транзистора последовательно в резистором Rz. При изменении температуры напряжение база - эмиттер останется неизменным, так как потенциалы базы и эмиттера будут меняться примерно одинаково. [53]
Для первого варианта невыполнение условий (6.22) приводит к появлению интервала, при котором энергия индуктивности трансформатора Т1 уже вся передана в нагрузку, а мощный транзистор не открывается, поскольку к его эмиттерному переходу приложено закрывающее напряжение от УГР. После снятия этого напряжения база транзистора оказывается под положительным потенциалом за счет тока смещения и практически без задержки начинается этап накопления энергии н - Закон регулирования при этом изменяется, а максимальная частота, соответствующая минимуму тока нагрузки, уменьшается. [54]
 |
Зависимость коэффициента усиления в диапазоне температур 20 -. - - - - 60 С. [55] |
Под воздействием достаточно большого отпирающего напряжения Uflt или UЗб транзистор находится в режиме насыщения базы неосновными носителями, инъектируемыми обоими переходами. После прекращения действия этого напряжения база транзистора остается еще екоторое время сильно насыщенной носителями, и для начала спадания коллекторного тока требуется определенное время т ( см. рис. 2.29), в течение которого транзистор еше открыт и находится в области насыщения. Это время определяется скоростью ухода носителей из базы через переходы и временем их рекомбинации. [56]
Я ставлю точку Я на нашей нагрузочной прямой в месте, соответствующем Ик 5 в, это, почти середина нашей прямой. Теперь, если изменение напряжения база - эмиттер ( или, что то же самое, изменение тока базы) определяет изменение тока / и напряжения IJк коллектора, то эти две последние величины всегда оказываются связанными отношением, которое выражает наша прямая. [57]
Величина нежелательной амплитудной или частотной модуляции может быть несколько снижена путем выбора соответствующего режима полупроводникового триода. Известно, что увеличение напряжения база - эмиттер приводит обычно к увеличению емкости этого перехода, а повышение коллекторного напряжения вызывает уменьшение емкости база - коллектор. Очевидно, что если в процессе амплитудной модуляции одновременно изменять напряжение на базе и коллекторе, то нежелательная частотная модуляция может быть существенно снижена. [58]
Практически было бы трудно выполнить надежный расчет для предельных условий. Схема слишком чувствительна к изменениям напряжения база - эмиттер. Транзистор с большим напряжением на базе может не включиться полностью, так как ток, обеспечиваемый входным сопротивлением схемы и, иногда непропорционально ответвляется в цепочку R L, и величина тока базы недостаточна. Кроме того, коэффициент разветвления слишком мал, так как ток, текущий через сопротивления схемы и, должен быть значительно увеличен. [59]
В схеме на рис. 9 - 6, а напряжение с делителя подается на базу транзистора Т, а опорное напряжение на его эмиттер. Если выходное напряжение возрастает, то напряжение база - эмиттер транзистора Т увеличивается и вызывает рост тока коллектора. Изменения тока коллектора транзистора TI и входного тока регулирующего элемента сдвинуты по фазе. Это означает, что при возрастании напряжения на выходе стабилизатора усиленная разность напряжений будет уменьшать входной ток регулирующего элемента, и выходное напряжение скорректируется. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5