Напряжение - баз
Cтраница 3
 |
Схема дополнительного. [31] |
Каждый транзистор этой комбинации должен выдерживать напряжение, равное максимальному значению нестабилизированного входного напряжения за вычетом суммы выходного напряжения и напряжения база - эмиттер каждого предшествующего транзистора. Требования к току коллектора каждого транзистора снижаются при переходе от Т к Тп соответственно в Aai3 ( n - i) раз. [32]
Следует учитывать, что с целью исключения выхода из строя транзисторов входное напряжение не рекомендуется чрезмерно увеличивать с тем, чтобы напряжения база - эмиттер и база - коллектор входного транзистора не превысили их максимально допустимых паспортных величин. [33]
Из ( 3 - 13) следует, что нестабильность паузы Т п в основном определяется непостоянством напряжения открывания диода t / n и напряжения база - эмиттер С / в. Это влияние уменьшается с увеличением напряжения источников питания Е и Еэ. Кроме того, как показано в § 1 - 3, влияние напряжения Un может быть существенно уменьшено путем включения компенсирующих диодов. [34]
 |
Способы включения напряжений на базу биполярного транзистора. [35] |
Схема рис. 6.4 6 практически не обеспечивает постоянства положения СРТ, так как с изменением параметров транзистора меняется ток базы, а следовательно, и напряжение база - эмиттер. [36]
 |
Вольт-амперная характеристика вентиля BI в цепи межкаскадной связи. [37] |
По справочным данным или экспериментально [44] определяем: а) зависимость коэффициента усиления TI от коллекторного тока ( 3i Pt ( JKi); б) зависимость напряжения база - эмиттер от гк на границе насыщения w36i M36i ( JKi) i ftlo в) по последней зависимости - напряжение С / кэ. [38]
В точке Д также получается значительное уменьшение коэффициента усиления, что видно из рассмотрения ес и гК4 - Максимальное напряжение сигнала еС4 в этом случае ограничивается минимальным размахом напряжения база - эмиттер, при котором мгновенные значения этого напряжения достигают нулевой оси. Другим ограничивающим фактором для данной схемы является требование, чтобы мгновенная величина коллекторного напряжения была всегда ниже мгновенного базового напряжения. [39]
Если теперь подать небольшое положительное напряжение на базу, то в результате возникшей разности потенциалов эмиттер-база дырки в большом количестве начинают поступать в n - зону базы, а оттуда под действием напряжения база - коллектор - в цепь коллектора. [40]
Глубокая отрицательная обратная связь в каскадах усилителя ( рис. 2.12) позволяет считать, что обратные токи коллекторов транзисторов Т и Т2 не влияют на их исходный режим работы, и пренебречь напряжением база - эмиттер по сравнению с падением напряжения на эмиттерном резисторе. [41]
 |
Принципиальная схема симметричного триггера с нелинейной обратной связью. [42] |
В случае, если триггер должен работать с большой нагрузкой по постоянному току и в связи с этим выполняется с эмиттерными повторителями в цепях связи, как показано на рис. 51 и 52, напряжение база - эмиттер триодов-повторителей можно принять равным 1 / б триодов-инверторов. [43]
Если известен ток коллектора выходного транзистора, то пользуясь последовательно графическими зависимостями i fi ( ig), 1 Б / 2 ( иБЭ) и иБЭ - вх ( Б, находят напряжения на нагрузке и напряжения база - эмиттер транзисторов, входящих в составную схему. [44]
 |
Схемы компенсационного стабилизатора последовательного типа. а - структурная. б - принципиальная. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5