Обратное напряжение - пробой
Cтраница 1
Обратное напряжение пробоя ( для нелавинных тиристоров) и прямое напряжение пробоя не относятся к основным параметрам тиристоров и в каталожно-спра-вочных и информационных материалах, как правило, не указываются. Они используются предприятиями-изготовителями для установления максимально допустимых значений параметров тиристоров по напряжению в закрытом и обратном непроводящем состояниях. [1]
Обратное напряжение пробоя тиристора ( / проб определяют аналогично напряжению включения, но при обратных полярностях источни. Кнопка Кн при этом должна быть разомкнута. [2]
Максимальное напряжение резистора ограничено обратным напряжением пробоя p - n - перехода. Величина этого напряжения зависит только от концентрации примесей в материале. [3]
 |
Профиль распределения примеси в плен. [4] |
Однако при изготовлении легированных диодов с большим обратным напряжением пробоя ( свыше 120 - 150 в) для получения чистых высокоомных слоев, а также для многослойных структур необходимы резкие переходы со скачкообразным изменением концентрации носителей на границе. [5]
Для тиристоров, как и для диодов, вводят параметр обратное напряжение пробоя [ / роб - значение обратного напряжения, при котором обратный ток превышает заданное значение. Для лавинных тиристоров этот параметр является обязательным. [6]
При разработке схем следует учитывать, что напряжение на резисторе ограничено обратным напряжением пробоя диода, а в высокочастотных схемах сказывается распределенная емкость. [7]
Эти кристаллики, длина которых может достигать миллиметра, могут располагаться поперек р - n - переходов и сильно уменьшать величину обратного напряжения пробоя в диодах. [8]
В качестве стабилитронов в интегральных схемах могут работать три р - n - перехода стандартного интегрального транзистора: база-эмиттер, база-коллектор, коллектор-подложка. Обратное напряжение пробоя каждого из этих переходов определяется степенью легирования кремния. Для переходов база - коллектор и коллектор-подложка это напряжение равно примерно 45 В. Обратное пробивное напряжение перехода база-эмиттер из-за гораздо более высокой степени легирования эмиттерной области находится в пределах 6 - 7 В, мало зависит от обратного тока пробоя ( в пределах 1 мкА - 1 мА) и безопасно для р - - перехода, если не превышена допустимая мощность, рассеиваемая данной интегральной структурой. Такой стабилитрон является основным в схемотехнике монолитных интегральных схем, так как получение его не требует введения дополнительных процессов в стандартный технологический цикл интегральных схем. [9]
 |
Управляемый выпрямитель ( фирма General Electric Co. Syracuse, . a - внешний вид, принципиальная и условная схемы и б - вольт-амперная. [10] |
Рассмотрим управляемый выпрямитель без сигнала, приложенного к затвору, имеющий прямое напряжение выше напряжения пробоя ( отпирания) 200 в. Предполагаем, что обратное напряжение пробоя значительно выше. Вольт-амперная характеристика показана на рис. 6 - 81, а соотношения напряжений в приборе, установленном в цепи обратного тока, показаны на рис. 6 - 82, а. На этом рисунке для большей ясности в преувеличенном масштабе показаны потери, соответствующие падению прямого напряжения в период проводимости и прямой и обратной утечек в период блокирования. [11]
Интегральная схема LF155 / 6 / 7 представляет собой операционный усилитель с входами на полевых транзисторах с р - - переходом. Полевые транзисторы с р - п-переходом имеют большое обратное напряжение пробоя между затвором, истоком и стоком, это устраняет необходимость ограничения напряжения на входах. [12]
В блокинг-генераторах с большими паузами между импульсами во входную цепь включают полупроводниковый диод с большим обратным напряжением и малым током насыщения. В этом случае пауза между импульсами определяется гл. Включение диода необходимо также при применении дрейфовых транзисторов с низким обратным напряжением пробоя эмиттсрного р - л-перехода. Применение высокочастотных, дрейфовых транзисторов и трансформаторов с ферромагнитными сердечниками ( с большой проницаемостью и малыми потерями) позволяет генерировать импульсы к 10 - 7 сек с фронтами - 10 8 сек. [14]
При соответствующей конструкции диода ( § 2.8) это излучение может быть выведено наружу. Следовательно, в р - i - - диоде с гетеропереходами снижаются оба вида потерь, что приводит к уменьшению тепловыделения. Поэтому такой диод может пропускать значительно большие плотности тока в прямом направлении, чем обычный. Обратное напряжение пробоя такой структуры так же велико, как в для обычного р - i-и-диода. [15]
Страницы: 1