Обратное напряжение - пробой - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Еще никто так, как русские, не глушил рыбу! (в Тихом океане - да космической станцией!) Законы Мерфи (еще...)

Обратное напряжение - пробой

Cтраница 1


Обратное напряжение пробоя ( для нелавинных тиристоров) и прямое напряжение пробоя не относятся к основным параметрам тиристоров и в каталожно-спра-вочных и информационных материалах, как правило, не указываются. Они используются предприятиями-изготовителями для установления максимально допустимых значений параметров тиристоров по напряжению в закрытом и обратном непроводящем состояниях.  [1]

Обратное напряжение пробоя тиристора ( / проб определяют аналогично напряжению включения, но при обратных полярностях источни. Кнопка Кн при этом должна быть разомкнута.  [2]

Максимальное напряжение резистора ограничено обратным напряжением пробоя p - n - перехода. Величина этого напряжения зависит только от концентрации примесей в материале.  [3]

4 Профиль распределения примеси в плен. [4]

Однако при изготовлении легированных диодов с большим обратным напряжением пробоя ( свыше 120 - 150 в) для получения чистых высокоомных слоев, а также для многослойных структур необходимы резкие переходы со скачкообразным изменением концентрации носителей на границе.  [5]

Для тиристоров, как и для диодов, вводят параметр обратное напряжение пробоя [ / роб - значение обратного напряжения, при котором обратный ток превышает заданное значение. Для лавинных тиристоров этот параметр является обязательным.  [6]

При разработке схем следует учитывать, что напряжение на резисторе ограничено обратным напряжением пробоя диода, а в высокочастотных схемах сказывается распределенная емкость.  [7]

Эти кристаллики, длина которых может достигать миллиметра, могут располагаться поперек р - n - переходов и сильно уменьшать величину обратного напряжения пробоя в диодах.  [8]

В качестве стабилитронов в интегральных схемах могут работать три р - n - перехода стандартного интегрального транзистора: база-эмиттер, база-коллектор, коллектор-подложка. Обратное напряжение пробоя каждого из этих переходов определяется степенью легирования кремния. Для переходов база - коллектор и коллектор-подложка это напряжение равно примерно 45 В. Обратное пробивное напряжение перехода база-эмиттер из-за гораздо более высокой степени легирования эмиттерной области находится в пределах 6 - 7 В, мало зависит от обратного тока пробоя ( в пределах 1 мкА - 1 мА) и безопасно для р - - перехода, если не превышена допустимая мощность, рассеиваемая данной интегральной структурой. Такой стабилитрон является основным в схемотехнике монолитных интегральных схем, так как получение его не требует введения дополнительных процессов в стандартный технологический цикл интегральных схем.  [9]

10 Управляемый выпрямитель ( фирма General Electric Co. Syracuse, . a - внешний вид, принципиальная и условная схемы и б - вольт-амперная. [10]

Рассмотрим управляемый выпрямитель без сигнала, приложенного к затвору, имеющий прямое напряжение выше напряжения пробоя ( отпирания) 200 в. Предполагаем, что обратное напряжение пробоя значительно выше. Вольт-амперная характеристика показана на рис. 6 - 81, а соотношения напряжений в приборе, установленном в цепи обратного тока, показаны на рис. 6 - 82, а. На этом рисунке для большей ясности в преувеличенном масштабе показаны потери, соответствующие падению прямого напряжения в период проводимости и прямой и обратной утечек в период блокирования.  [11]

Интегральная схема LF155 / 6 / 7 представляет собой операционный усилитель с входами на полевых транзисторах с р - - переходом. Полевые транзисторы с р - п-переходом имеют большое обратное напряжение пробоя между затвором, истоком и стоком, это устраняет необходимость ограничения напряжения на входах.  [12]

13 Общий вид полупроводникового детекюра. К пластинке полупроводника на надежном омическом контакте присоединяются два электрода.| Схема полупроводникового детектора с и-р-нсре-ходом. и - обозначают равновесные носители в р - ц n - кремшш. обведенные кружками и - - неравновесные носители, образованные падающей частицей. 1 - слой напыленного золота. 2 - электроды. 1г, hn - толщина слоев р-кре шия ( мертвый слой и к-кремния. волнистая линии - граница между / - и и-кремнием. W - обедненная область детектора. аа - путь частицы в детекторе. Б - батарея. [13]

В блокинг-генераторах с большими паузами между импульсами во входную цепь включают полупроводниковый диод с большим обратным напряжением и малым током насыщения. В этом случае пауза между импульсами определяется гл. Включение диода необходимо также при применении дрейфовых транзисторов с низким обратным напряжением пробоя эмиттсрного р - л-перехода. Применение высокочастотных, дрейфовых транзисторов и трансформаторов с ферромагнитными сердечниками ( с большой проницаемостью и малыми потерями) позволяет генерировать импульсы к 10 - 7 сек с фронтами - 10 8 сек.  [14]

При соответствующей конструкции диода ( § 2.8) это излучение может быть выведено наружу. Следовательно, в р - i - - диоде с гетеропереходами снижаются оба вида потерь, что приводит к уменьшению тепловыделения. Поэтому такой диод может пропускать значительно большие плотности тока в прямом направлении, чем обычный. Обратное напряжение пробоя такой структуры так же велико, как в для обычного р - i-и-диода.  [15]



Страницы:      1