Высокое обратное напряжение

Cтраница 1

Высокое обратное напряжение можно получить, если отшлифованный германий протравлен электролитическим способом до удаления большей части поврежденного материала. Однако в этом случае на поверхности образуются ямки, а напряжение пробоя оказывается не таким высоким, как в случае химически протравленной поверхности. [1]

При достаточно высоких обратных напряжениях t / кв в коллекторном переходе возможно размножение носителей за счет ударной или полевой генерации. [2]

При чрезмерно высоком обратном напряжении происходит пробой полупроводникового слоя. Медно-закисные вентили при этом выходят из строя, а селеновые часто самовосстанавливаются за счет оплавления места пробоя аморфной модификацией селена, являющейся диэлектриком. [3]

При чрезмерно высоком обратном напряжении происходит пробой полупроводникового слоя. Меднозакисные вентили при этом выходят из строя, а селеновые часто самовосстанавливаются за счет оплавления места пробоя аморфной модификацией селена, являющейся диэлектриком. [4]

При достаточно высоких обратных напряжениях t / кв в коллекторном переходе возможно размножение носителей за счет ударной или полевой генерации. [5]

Семейства статических характеристик.| Семейства статических характериств. [6]

Со стороны высокого обратного напряжения активная область выходных статических характеристик ограничивается областью сильного увеличения коллекторного тока, где характеристики изгибаются и начинают круто подниматься вверх. В схеме с общей базой такое явление наблюдается при приближении к пробивному напряжению коллекторного перехода ( UK. [7]

Для получения более высокого обратного напряжения диоды можно включать последовательно. Для последовательного включения подходящими являются диоды с идентичными характеристиками. В настоящее время выпускаются так называемые диодные столбы, в которых соединены последовательно от 5 до 50 диодов. [8]

Элементы этих выпрямителей выдерживают высокое обратное напряжение, характеризуются малым сопротивлением в направлении прямого тока и очень высоким сопротивлением обратной проводимости. [9]

Например, чтобы получить высокие обратные напряжения германиевых диодов ( примерно до 500), нужны образцы, содержащие не больше одного атома примеси на 1 5 - 109 атомов германия. Производство квантовых генераторов также требует особо чистых материалов. [10]

Схема включения фототриода. [11]

Поскольку фотодиод находится под высоким обратным напряжением и его начальный ( темновой) ток мал, то воз действие света приводит к большим изменениям напряжения на нагрузочном сопротивлении и, следовательно, чувствительность фотодиода много выше чувствительности фотосопротивления и фотоэлемента. [12]

Работа при больших токах и высоких обратных напряжениях связана с выделением значительной мощности в р-п переходе. Поэтому в установках с мощными диодами применяют воздушное и жидкостное охлаждение. Пр И воздушном охлаждении тепло отводится с помощью радиатора и проходящего вдоль его теплоотво-дящих ребер потока воздуха. При этом охлаждение может быть естественным, если отвод теплоты в окружающую среду определяется естественной конвенкцией воздуха, или принудительным, если используется принудительный обдув корпуса прибора и его радиатора с помощью вентилятора. [13]

Заметим только, что при достаточно высоких обратных напряжениях на переходе переход может оказаться в предпробойном режиме. [14]

Схема включения лампы для снятия характеристик ( а, вольт-амперные характеристики для двух значений напряжения накала катода ( б. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5