Высокое обратное напряжение

Cтраница 4

Другой не менее важной причиной, по которой желательно обеспечить плавный закон распределения примеси, является требование достаточно высокого обратного напряжения, потому что в режиме умножения или деления частоты амплитудное значение обратного напряжения может достигать нескольких десятков вольт. При высоких концентрациях N0 ( pn - мало) это требование является противоречивым. Однако при плавном законе распределения примеси ширина перехода становится больше, и вероятность туннельного просачивания электронов уменьшается. Приведенные выше формулы ( 113) и ( 114) для ия не могут быть использованы в данном случае, так как они получены для резкого перехода. [46]

При обратном смещении эти носители зарядов отсасываются и s - область, обедненная носителями зарядов, может выдерживать высокое обратное напряжение. [47]

Кремниевые выпрямительные элементы в отличие от германиевых могут работать при температуре до 125 С и выше, имеют более высокое обратное напряжение и значительно меньшие обратные токи. Так, у диодов, рассчитанных на прямой ток 0 5 а, обратные токи не превышают 0 01 ма. Благодаря этому кремниевые диоды находят широкое применение в радиотехнических схемах, счетно-решающих устройствах и другой аппаратуре. Вольт-амперные характеристики этих диодов обеспечивают их устойчивую работу в предпробивной области, благодаря чему их легко использовать для последовательного соединения. Недостатком кремниевых диодов является несколько большее падение напряжения в прямом направлении. [48]

Структура составного транзистора ( а и его электрическая схема ( б. [49]

Мощные высоковольтные транзисторы предназначены в первую очередь для работы в режиме переключения характеризующемся переходом транзистора из закрытого состояния с высоким обратным напряжением в открытое состояние с большим током коллектора. Этим определяются основные требования к высоковольтным транзисторам: высокое пробивное напряжение коллектор - эмиттер, большой ток коллектора, малое падение напряжения в открытом состоянии, малая длительность переходных процессов. [50]

Показанные на рис. 1 - 1 плоскостные диоды отличаются малым сопротивлением в прямом направлении, большим обратным сопротивлением и сравнительно высоким обратным напряжением. Эти свойства очень выгодны, о эти диоды имеют также известные He-достатки. [51]

В АХ полупроводниковых диодов. [52]

Еще одно отличие ВАХ полупроводниковых диодов от определяемых ф-лой ( 2 - 18) связано с возникновением пробоя при достаточно высоком обратном напряжении. Известны три механизма пробоя р-п переходов: лавинный, туннельный ( см. с. Для маломощных диодов, используемых в качестве вентилей, типичен лавинный пробой, обусловленный размножением носителей в обедненном слое при высокой напряженности электрического поля за счет ударной ионизации. [53]

Современные силовые ионные приборы, которые по технико-экономическим показателям в ряде случаев продолжают конкурировать с силовыми полупроводниковыми приборами, характеризуются высокими обратными напряжениями и большими рабочими токами. Этим обусловлено их применение в мощных высоковольтных преобразовательных устройствах. [54]

Схемы выпрямления. а - трехфазная. б - мостовая трехфазная. [55]

Недостатками схемы являются: усложненная конструкция трансформатора; худшее использование трансформатора по сравнению с мостовой схемой и схемой удвоения напряжения; высокое обратное напряжение. [56]

Примерно в это время Скафф и Тоерер развернули [15] в лабораториях фирмы Белл Телефон активную работу по получению германиевых диодов с высоким обратным напряжением, и одновременно в Пенсильванском университете [16] начали проводиться работы по использованию в этих целях кремния. В ходе дальнейших исследований были вскрыты новые непонятные факты, заключающиеся в слишком малой контактной разности потенциалов между кремниевыми образцами р - и - типа [17], низкой подвижности носителей в тонких пленках полупроводников и независимости выпрямляющих свойств контактов с различными металлами от величины их работы выхода. [57]

Каждая точка германия с электронным механизмом проводимости, с которой непосредственно соприкасаются контактные пружинки, имеет вольт-амперную характеристику, соответствующую детектору с высоким обратным напряжением. Иными словами, в каждой этой точке существует р - п-лереход, обусловленный тем, что специальной обработкой на поверхности n - германия создается тонкий слой р-германия. Когда на эмиттер в пропускном направлении подается одиночный импульс напряжения, дырки под влиянием электрического поля импульса проникнут из р-германия в п-германий. [58]

Широко распространены три типа диодов с точечными контактами: 1) кремниевые и германиевые диоды высокой чувствительности; 2) выпрямительные германиевые диоды с высоким обратным напряжением; 3) выпрямительные германиевые диоды со сварными контактами. Отечественная промышленность выпускает точечные диоды нескольких типов: ДГ - германиевые и ДК - кремниевые. [59]

В однофазной однополупериодной схеме ( рис. 85, а) используется только часть мощности трансформатора, выпрямленное напряжение имеет большую переменную составляющую, к диоду приложено высокое обратное напряжение и, следовательно, выпрямитель обладает низким кпд. При емкостной нагрузке обратное напряжение выпрямителя может достигать примерно тройного значения переменного напряжения. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5