Высокое обратное напряжение

Cтраница 2

Ламповые диоды специального изготовления могут выдерживать очень высокие обратные напряжения до сотен киловольт. [16]

В достаточно толстых р-п переходах при высоких обратных напряжениях может возникать ударная ионизация, сопровождающаяся лавинным нарастанием концентрации носителей заряда и пробоем перехода. [17]

Некоторые схемы магнитных усилителей. а - с внутренней обратной связью. б - быстродействующий. [18]

Но выпрямители в этом случае оказываются под более высоким обратным напряжением, равным амплитудному значению напряжения источника питания. Поэтому внутренняя обратная связь особенно целесообразна в мощных усилителях. [19]

В отличие от германиевых, кремниевые диоды допускают более высокие обратные напряжения и диапазоны рабочих температур; последние достигают 200 С. [20]

В основном он состоит из кристалла германия с высоким обратным напряжением, двух точечных электродов и одного электрода с относительно большой поверхностью. [21]

С) представляют собой хорошо сформованные детекторы с высоким обратным напряжением; в области контакта, следовательно, имеются р-п-переходы. [22]

Схема лавинного умножения носителей заряда в переходе. [23]

Лавинный пробой происходит в достаточно толстых переходах при высоких обратных напряжениях, когда возникает ударная ионизация и лавинный процесс умножения носителей заряда. [24]

Характеристики высокочастотного транзистора 2N501. [25]

Эти характеристики можно рассматривать как типичные, за исключением необычно высокого обратного напряжения на переходе база-эмиттер. Из данных, не приводимых в стандартных паспортных характеристиках, здесь указана емкость база - эмиттер обедненного слоя. Данные в таблице относятся к случайно выбранному экземпляру. [26]

Кремниевые маломощные диоды имеют обратный ток до 1 мка, высокое обратное напряжение, е чувствительны к влажности и способны работать при температурах до 125 - 150 С. Размеры, вес и потребление энергии полупроводниковыми диодами в десятки и сотни раз меньше, чем электронными диодами ( кенотронами), а срок их службы значительно больше. [27]

Конструкция промежуточной вставки в анодном узле.| Промежуточная вставка из графита. [28]

Особый интерес представляет конструкция анодного узла, который должен выдерживать высокое обратное напряжение. [29]

Током, текущим через коллекторный переход Рк, находящийся под высоким обратным напряжением, можно ввиду его малости пренебречь. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5