Пороговое напряжение - транзистор
Cтраница 2
Если к затвору МНОП-транзистора подвести напряжение считывания Ua 10 В, то пороговое напряжение транзистора не изменится, а его значение, определенное по началу проводимости в цепи исток - сток, характеризует состояние логических нуля или единицы. [16]
Влияние заряда поверхностных состояний проявляется в увеличении ( по абсолютному значению) порогового Напряжения транзисторов с каналом р-типа и уменьшении порогового напряжения транзисторов с каналом гс-типа. [17]
Понижение выходного потенциала С / Вых и в особенности его зависимость от порогового напряжения транзистора Т з или Tf, являются серьезными недостатками обычного усилителя мощности. [18]
 |
Структурная схема ПЗУ с электрическим программированием. [19] |
В результате внутри МОП структуры образуется некоторый заряженный слой, который приводит к изменению порогового напряжения МОП транзистора. При постоянном напряжении на затворе в режиме считывания информации это приводит к изменению тока считывания. [20]
Основным недостатком указанных ЗУПВ является их несовместимость по уровням сигналов с биполярными ТТЛ схемами, что объясняется сравнительно высокими пороговыми напряжениями МДП транзисторов и соответственно повышенными напряжениями питания. [21]
Влияние заряда поверхностных состояний проявляется в увеличении ( по абсолютному значению) порогового Напряжения транзисторов с каналом р-типа и уменьшении порогового напряжения транзисторов с каналом гс-типа. [22]
Преимущества - канальных ЗУПВ перед р-ка аль-ными объясняются не только большей подвижностью электронов в канале п-типа, но также и более низкими пороговыми напряжениями транзисторов с каналом п-типа, что позволяет снизить напряжения источников питания и дополнительно уменьшить потребляемую мощность. [23]
 |
Импульсная ЛЗ, сохраняющая амплитудные соотношения, выполненная на двуполярпых и канальных транзисторах. [24] |
Для уменьшения влияния порогового напряжения канального транзистора и повышения быстродействия ключа амплитуда тактирующего напряжения должна значительно превышать напряжение на истоке и пороговое напряжение транзистора. [25]
Создавая электрическое поле, направленное в одну сторону с полем затвора ( при f / зи 0) этот заряд снижает пороговое напряжение транзисторов с каналом л-типа. [26]
Структура МДП-транзистора с плавающим затвором и каналом р-типа показана на рис. 3.16. На затворе может накапливаться определенный заряд, чаще всего отрицательный, который изменяет пороговое напряжение транзистора. [27]
ЕС то транзистор открыт и рабочая точка должна находиться в крутой области стоковой характеристики ( рис. 5.15) так, чтобы выходное напряжение было достаточно низким, меньше порогового напряжения транзистора следующего каскада. Ее - В цифровых схемах U принимается за уровень логического нуля. Если на вход поступает напряжение, меньшее U op, то транзистор закрыт и U3MEc, в цифровых схемах это уровень логической единицы. [28]
При записи кода 1 на информационную шину Y подается уровень логической 1 ( D l) и емкость Сп заряжается через открытый транзистор VTX до потенциала, превышающего пороговое напряжение транзистора V7V Транзистор VTt открывается и удерживается в открытом состоянии положительным потенциалом в точке А. При записи 0 и 1 транзистор VT3 остается в закрытом состоянии. [29]
Это, в принципе, должно обеспечивать большее быстродействие элемента, однако в реальной схеме быстродействие снижается за счет того, что при формировании нулевого выходного уровня напряжение Рис 7.9 Однотактный элемент на затворе транзистора Т % с резистивно-емкостной связью, оказывается ниже единичного входного уровня а значение порогового напряжения транзистора. В то время как во всех ранее рассмотренных элементах на затворы транзисторов ( кроме информационного) подается полная амплитуда тактового импульса, в данном элементе максимальное напряжение на затворе транзистора Т2 ограничено величиной Di-2. [30]
Страницы: 1 2 3 4