Пороговое напряжение - транзистор
Cтраница 3
 |
Электрическая схема двухвходового логического элемента ИЛИ-НЕ типа пМОП.| Электрические схемы инвертора ( а и двухвходового логического элемента ИЛИ-НЕ ( б типа КМОП. [31] |
Электрическая схема КМОП-инвертора показана на рис. 100, а. Пороговое напряжение транзистора VT1 с каналом п-типа равно ( 1 - г2) В, а транзистора VT2 с каналом р-типа составляет - ( 1 - - 2) В. Инвертор потребляет ток от источника питания только в момент переключения, когда оба транзистора открыты. В статическом режиме ( на входе О или 1) один из транзисторов закрыт и потребление тока ничтожно мало. [32]
Снижение порогового напряжения транзисторов с индуцированным каналом с - 4 В ( типичное значение для ЗУПВ 1103) до - 1 5 В обеспечило совместимость ЗУПВ 4006Р по уровням сигналов с ТТЛ схемами. [33]
Каждый ЗЭ содержит один или два МДП транзистора. Информация, хранимая в ЗЭ, определяется пороговым напряжением МДП транзистора. Пороговое напряжение запоминающего МДП транзистора задается либо в процессе изготовления матрицы и впоследствии не изменяется, либо в результате воздействия внешних электрических сигналов. [34]
Репрограммируемые ПЗУ являются наиболее универсальными устройствами памяти. Принцип действия такой ячейки памяти основан на обратимом изменении порогового напряжения МНОП транзистора. В то же время другие МНОП транзисторы, у которых t / 3Hn0p t / АШ будут функционировать как обычные МДП транзисторы. [35]
Репрограммируемые ПЗУ являются наиболее универсальными устройствами памяти. Принцип действия такой ячейки памяти основан на обратимом изменении порогового напряжения МНОП транзистора. ЗИпор 6ГДШ, будут функционировать как обычные МДП транзисторы. [36]
В, которое обеспечивает лавинный пробой в транзисторе, и электроны инжектируют в плавающий затвор. Плавающий затвор получает отрицательный заряд ( состояние 0), пороговое напряжение транзистора повышается и транзистор будет находиться в закрытом состоянии. Высокие изолирующие свойства двуокиси кремния позволяют десятки лет сохранять накопленный на плавающем затворе заряд. [37]
 |
Логический элемент ИЛИ - НЕ с параллельным включением униполярных транзисторов ( а и логический элемент И - НЕ с последовательным включением транзисторов ( б. [38] |
Это свойство обеспечивает также практическую нечувствительность схем к изменению питающих напряжений в значительных пределах. В схемах с дополнительной симметрией надежность переключения зависит только от отношения пороговых напряжений транзисторов с каналами п - и р-типа. [39]
 |
Ключевые схемы. [40] |
ИМС являются общими для транзисторов с каналами п - и р-типов. Для уменьшения потребляемой мощности в момент переключения напряжение питания выбирают несколько меньше суммы пороговых напряжений транзисторов с каналами п - и р-типов. Применение поликристаллических кремниевых затворов приводит к уменьшению порогового напряжения этих транзисторов до 0 5 - 0 9 В. [41]
 |
Первый вариант однотактного элемента. [42] |
Для эффективного использования напряжения источника питания необходимо, чтобы амплитуда тактового импульса превышала Еп по крайней мере на пороговое напряжение транзисторов. [43]
На границе этих двух слоев, а также в слое нитрида кремния имеются ловушки для электронов. При подаче на затвор МНОП-структуры положительного напряжения ( 30 В) электроны из подложки туннелируют сквозь тонкий слой SiO2 и захватываются ловушками. Накопленный ими отрицательный заряд повышает пороговое напряжение транзистора. Хранение заряда в ловушках довольно длительное - несколько десятков тысяч часов при температуре до 125 С. Недостаток такой структуры - необходимость получения тонких слоев SiO2, что является непростой технологической задачей. [44]
Рассмотрим структуру транзистора с самосовмещенным затвором. Основные технологические этапы ее изготовления поясняет рис. 5.3. Структуру создают на полуизолирующей подложке из арсенида галлия. Слой л-типа ( рис. 5.3, а) для канала каждого транзистора микросхемы формируют селективным ионным легированием подложки кремнием через маску из диоксида кремния. Пороговое напряжение транзисторов [ см. формулу (5.1) ] регулируется изменением дозы ионов кремния. Например, при одинаковой энергии ионов, равной 59 кэВ, доза для нормально закрытых транзисторов 1012 см-г и вдвое больше для нормально открытых. Затем наносят металлический затвор 3, материалом которого служит сплав титан - вольфрам. [45]
Страницы: 1 2 3 4