Пробивное напряжение - диод
Cтраница 1
Пробивное напряжение диода - напряжение стабилизации стабилитрона зависит от толщины р - л-перехода или от удельного сопротивления базы диода. Поэтому различные типы стабилитронов имеют различные напряжения стабилизации: С / ст 3ч - 400 В. [1]
Пробивное напряжение диода зависит от ширины р-я-перехода, а ширина p - n - перехода определяется удельным сопротивлением кристалла полупроводника. [2]
Пробивное напряжение диода зависит от ширины р-п-перехода, а ширина p - n - перехода определяется удельным сопротивлением кристалла полупроводника. [3]
Пробивное напряжение диодов на горячих носителях может иметь величину 10 - 30 в, прямой ток при напряжении 1 в может достигать 30 - 40 ма. Малая инерционность диодов этого типа делает их весьма перспективными не только для применения в импульсных устройствах, но и в устройствах сверхвысокочастотной техники. [4]
 |
Диод с p - i - n структурой ( а, энергетическая диаграмма ( б, распределение примесей ( в, плотности объемного заряда ( г и напряженности электрического поля ( д. [5] |
Пробивное напряжение диодов с p - i - rt - структурой достигает нескольких сотен вольт, что существенно превышает пробивное напряжение диодов с обычным р-п-переходом и с таким же уровнем легирования прилегающих областей. [6]
 |
Диод с / ы - п-структурой ( а, энергетическая диаграмма ( 6, распределение примесей ( в, плотности объемного заряда ( г и на мряженности электрического поля ( д. [7] |
Пробивное напряжение диодов с - / - - структурой достигает нескольких сотен вольт, что существенно превышает пробивное напряжение диодов с обычным р-п-переходом и с таким же уровнем легирования прилегающих областей. [8]
Как зависит пробивное напряжение диодов при лавинном пробое от концентрации примесей в базе и от удельного сопротивления базы. [9]
Как изменяется пробивное напряжение диода при лавинном и туннельном пробоях с увеличением температуры. [10]
 |
Схема образования потенциального барьера.| Схема условий на переходе р-п при прямом и обратном соединении. [11] |
Следует различать пробивное напряжение диода, разрушающее его при кратковременном воздействии, и значительно меньшее длительно допускаемое обратное напряжение. Когда это напряжение меньше рабочего напря - жения цепи, применяется последовательное соединение вентилей, причем в случае германиевых и кремниевых диодов часто приходится шунтировать вентили сопротивлениями для выравнивания распределения напряжения между ними. [12]
Как зависит пробивное напряжение диодов при лавинном пробое от концентрации примесей в базе и от ее удельного сопротивления. [13]
Интересно отметить, что расчет пробивного напряжения диодов исходя из величины удельного сопротивления кремния после термообработки дает лучшее совпадение с опытом, чем использование значений первоначального удельного сопротивления. [14]
Анализ по одномерной модели р-я-перехода не учитывает два явления, приводящие к снижению пробивного напряжения диода. Во-первых, электрическое поле больше в окрестности искривления перехода, чем в средней части диода, где края ООЗ являются параллельными плоскостями. Во-вторых, максимальное электрическое поле, при котором пробой происходит, ниже на поверхности полупроводника из-за дефектов решетки в этой области, чем в толще материала. [15]
Страницы: 1 2 3