Пробивное напряжение - диод
Cтраница 2
 |
Вольт-амперная характеристика диода. [16] |
Недостатком рассмотренного способа, ограничивающего применение его в технике, является разброс и нестабильность пробивного напряжения диодов, что обусловливает нестабильность амплитуды выходного сигнала. [17]
Пробивное напряжение диодов с - / - - структурой достигает нескольких сотен вольт, что существенно превышает пробивное напряжение диодов с обычным р-п-переходом и с таким же уровнем легирования прилегающих областей. [18]
Лавинные диоды обычно содержат большое количество МП ( плотность МП порядка 104 см 2), при этом пробивное напряжение диода ограничивается пробивным напряжением самой низковольтной МП. Так как пробивные напряжения МП не одинаковы, пробивное напряжение диода должно зависеть от площади р-п перехода, если даже распределение МП по площади пластины равномерное. Это объясняется статистическим характером пробоя - с ростом площади р-п перехода возрастает вероятность появления низковольтных МП. [19]
 |
Диод с p - i - n структурой ( а, энергетическая диаграмма ( б, распределение примесей ( в, плотности объемного заряда ( г и напряженности электрического поля ( д. [20] |
Пробивное напряжение диодов с p - i - rt - структурой достигает нескольких сотен вольт, что существенно превышает пробивное напряжение диодов с обычным р-п-переходом и с таким же уровнем легирования прилегающих областей. [21]
Формально при пробивном напряжении М - - оо. В производственных условиях пробивное напряжение диода определяют значением обратного напряжения, вызывающего пробой выпрямляющего перехода, при котором обратный ток достигает заданного значения. [22]
Формально при пробивном напряжении Л1 - - схз. В производственных условиях пробивное напряжение диода определяют значением обратного напряжения, вызывающего пробои выпрямляющего перехода, при котором обратный ток достигает заданного значения. [23]
Лавинные диоды обычно содержат большое количество МП ( плотность МП порядка 104 см 2), при этом пробивное напряжение диода ограничивается пробивным напряжением самой низковольтной МП. Так как пробивные напряжения МП не одинаковы, пробивное напряжение диода должно зависеть от площади р-п перехода, если даже распределение МП по площади пластины равномерное. Это объясняется статистическим характером пробоя - с ростом площади р-п перехода возрастает вероятность появления низковольтных МП. [24]
В § 1.7 было рассмотрено влияние поверхностных состояний на основные параметры полупроводниковых диодов. При изменении поверхностных состояний могут существенно изменяться обратные токи и пробивные напряжения диодов. Для стабилизации поверхностных состояний кристалл полупроводника с p - n - переходом помещают внутрь герметичного корпуса. [25]
В § 3.14 было рассмотрено влияние поверхностных состояний на основные параметры полупроводниковых диодов. При изменении поверхностных состояний могут существенно изменяться обратные токи и пробивные напряжения диодов. Для стабилизации поверхностных состояний кристалл полупроводника с р - / г-переходом помещают внутрь герметичного корпуса. [26]
В § 3.14 было рассмотрено влияние поверхностных состояний на основные параметры полупроводниковых диодов. При изменении поверхностных состояний могут существенно изменяться обратные токи и пробивные напряжения диодов. Для стабилизации поверхностных состояний кристалл полупроводника с p - n - переходом помещают внутрь герметичного корпуса. [27]
В § 3.14 было рассмотрено влияние поверхностных состояний на основные параметры полупроводниковых диодов. При изменении поверхностных состояний могут существенно изменяться обратные токи и пробивные напряжения диодов. Для стабилизации поверхностных состояний кристалл полупроводника с р-и-переходом помещают внутрь герметичного корпуса. [28]
На рис. 1 показаны распределения диодов с различной площадью то пробивным напряжениям. С ростом площади р-п перехода максимум кривой распределения смещается в сторону меньших напряжений, а разброс пробивных напряжений диодов в партии уменьшается. [29]
В диодных ограничителях детектирование во входной цепи имеет место при всех уровнях входных напряжений, превышающих порог ограничения. Если входная цепь симметрирована, то такой режим нормален, и динамический диапазон каскада ограничивается сверху только допустимой мощностью рассеяния или пробивным напряжением диодов. [30]
Страницы: 1 2 3