Пробивное напряжение - диод
Cтраница 3
Однако в эпитаксиальных слоях арсенида галлия не удается пока достичь малой концентрации дефектов и достаточно низкой концентрации доноров. Поэтому пробивное напряжение диодов Шотки на основе арсенида галлия оказывается низким, что является существенным недостатком для выпрямительных диодов. [31]
 |
Принципиальная схема формирователя перепада напряжения на диоде с накоплением заряда ( ДНЗ. [32] |
Вателя, ограничены рядом факторов, рассматриваемых ниже и, в частности, экспоненциальным характером зависимости тока от напряжения на диоде при работе на начальном участке его вельтамперной характеристики. В этом режиме, как указывалось, полоса пропускания максимальна и зависит только от амплитуды и длительности стробимпульса при данном диоде в смесителе. При выборе амплитуды импульсов следует учитывать, что повышение ее ограничено лишь величиной пробивного напряжения диодов. [33]
Вольтамперные характеристики диода средней мощности для температур 25 и 125 С приведены на фиг. В прямом направлении диод при температуре 25 С пропускает ток величиной более 20 а при падении напряжения на 1 в. С повышением температуры прямой ток возрастает. Диод хорошо выдерживает обратные напряжения до 300 в ( при токе менее 1 ма) даже при 125 С. Сравнение вольтамперных характеристик трех типов выпрямителей различной мощности при температуре 25 С показано на фиг. Обратные токи изменяются прямо пропорционально площади электронно-дырочных переходов, а прямое падение напряжения обратно пропорционально этой площади. Кроме того, на форму обратной ветви характеристик, очевидно, влияют поверхностные эффекты. Некоторая разница в прямых характеристиках обусловлена контактами и сопротивлением внутренней части выводов диода. Пробивное напряжение диода независимо от мощности определяется выбором исходного материала. [34]
Страницы: 1 2 3