Пробивное напряжение - переход
Cтраница 1
 |
Расширение области объемного заряда изолирующего р-п перехода ИС.| Транзистор полупроводниковой ИС со скрытым слоем. [1] |
Пробивное напряжение перехода эм-миттер - база f / э.в. пров в современных ИС составляет 2 - 7 В. Напряжение, вызывающее пробой перехода база - коллектор, лежит в пределах 20 - 80 В. Пробивное напряжение коллектор - подложка t / к.п. проб обычно превышает 40 В и во многих ИС достигает 100 В и более. [2]
Гнакс, пробивное напряжение перехода с температурой растет, при температурах, больших Г 1аКс, наоборот падает. Поскольку транзистор не работает при Т п Гмакс, следует считать, что ( УПр несколько растет с увеличением температуры. [3]
Транзисторы характеризуются пробивными напряжениями переходов икьо проб, t / эво проб и напряжением пробоя между коллектором и эмиттером. [4]
 |
Схема мультивибратора с диодами.| Схема мультивибратора на частоту 50 кгц. [5] |
Так как транзистор 2N1304 имеет пробивное напряжение перехода эмиттер - база, равное - 25 в, то применение диодов в цепи эмиттера не является необходимым. Схема генерирует на частоте приблизительно 50 кгц. [6]
Здесь L / щ, - пробивное напряжение перехода; п - некоторый коэффициент, величина которого для германия и кремния колеблется в пределах 3 - 5, в зависимости от типа проводимости и сопротивления материала. [7]
Следует сказать, что на практике пробивные напряжения переходов, как правило, ниже теоретических. Это может быть связано как с наличием дефектов в исходном полупроводнике ( точек с более низким удельным сопротивлением, каких-либо структурных нарушений или выделений в решетке другой фазы, например скоплений атомов кислорода), так и с явлениями поверхностного пробоя. Наличие на поверхности полупроводника вблизи перехода каких-либо загрязнений или участков, где электрическое поле превосходит поле в остальных местах перехода ( например, вследствие резких неровностей поверхности), может значительно снизить пробивное напряжение перехода. Исследования многих авторов показали, что если речь идет не об очень нт-пко-омном материале и не об очень малых по своим размерам переходах, то пробой перехода происходит не по всей площади перехода, а сосредоточивается или по крайней мере начинается в каких-либо отдельных точках. Когда принимаются меры для того, чтобы у выхода границы перехода на поверхность электрическое поле было значительно меньше, чем у р-п перехода внутри полупроводника, то такие точки будут находиться в объеме где-либо вблизи области максимального электрического поля. [8]
Во время периода выключено не должны превышаться пробивные напряжения переходов коллектор - эмиттер и эмиттер-база. Обратный ток коллектора / Ебо должен быть мал по сравнению с зарядным током емкости. [9]
Наличие протонов на поверхности приводит также к зависимости пробивного напряжения перехода от частоты. [11]
Следует отметить, что КИД-структурам с подлегированием базы свойственны низкие пробивные напряжения переходов эмиттер - база и коллектор - база. [12]
Естественно, что такое явление должно привести к снижению пробивного напряжения перехода, но не может повлиять существенно на величину обратного тока. [13]
Наибольшее напряжение между коллектором и общим электродом определяется величиной пробивного напряжения перехода и зависит от схемы включения транзистора. Кроме того, наибольшее напряжение между коллектором и общим электродом зависит от мощности, тока коллектора, внешнего сопротивления в цепи базы и температуры внешней среды. [14]
 |
Зависимость обратного тока р-п перехода от величины обратного напряжения при образовании на поверхности инверсионного слоя. [15] |
Страницы: 1 2 3 4