Пробивное напряжение - переход
Cтраница 3
Основными механизмами деградации свойств эпитакси-альных и диффузионных слоев микросхем с мелкими р-гс-переходами являются движение дислокаций, изменение внутренних напряжений кристаллической решетки, рекристаллизация, распад твердых растворов и др. Указанные процессы приводят к изменению таких характеристик, как концентрация, подвижность, времена жизни носителей заряда, а значит, к повышению токов утечки, снижению пробивного напряжения переходов, ухудшению быстродействия микросхем. [31]
При быстром охлаждении структура рекристаллизую-щегося слоя получается ( менее правильной. Это снижает пробивное напряжение перехода. С другой стороны, при быстром охлаждении количество задерживаемых примесей больше того, которое определяется коэффициентом сегрегации или предельной растворимостью, так как примесь как бы замораживается и не успевает пройти в расплав. [32]
Зависимость максимально допустимых параметров транзисторов от температуры аналогична зависимости для диодов. При электрическом пробое пробивные напряжения переходов с увеличением температуры несколько возрастают ( см. рис. 2 - 10 6), следовательно, возрастают и максимально допустимые обратные напряжения t / квмако и t / кэмакс - При тепловом пробое с увели-чением температуры эти параметры уменьшаются. [33]
Зависимость максимально допустимых параметров транзисторов от температуры аналогична зависимости для диодов. При электрическом пробое пробивные напряжения переходов с увеличением температуры несколько возрастают ( см. рис. 2 - 10 б), следовательно, возрастают и максимально допустимые обратные напряжения t / кБмакс и f / кэмакс. При тепловом пробое с увели-чением температуры эти параметры уменьшаются. [34]
 |
Вольт-амперная характеристика тиристора при различных значениях силы тока базы. [35] |
Тем самым снижается пробивное напряжение перехода Я2 а это дает возможность регулировать среднее значение выпрямленного тока. [36]
Это напряжение определяется величиной пробивного напряжения перехода, Кроме того, оно зависит от мощности, тока коллектора и температуры окружающей среды. [37]
Среди дефектов, располагающихся в объеме транзисторной структуры и снижающих предельное напряжение, следует отметить неровности или нарушения непрерывности франта вплавления и механические напряжения в полупроводниковом кристалле. Все эти дефекты могут снижать пробивное напряжение переходов, а наличие хотя бы ничтожных по площади несмоченных участков или посторонних включений на внутренней границе перехода вообще не позволит получить более или менее высокие пробивные напряжения. Так как механические напряжения могут сильно снижать пробивное напряжение р-п перехода, в конструкциях мощных сплавных высоковольтных транзисторов важно предусматривать те меры, направленные на снижение механических напряжений, о которых говорилось в гл. [38]
Основным результатом изменения состояния поверхности ППП является рост обратного тока у диодов и рост неуправляемых обратных токов ( / Кбо, / эво, / кэо) у транзисторов и реже изменение коэффициента передачи тока базы ( р или В) у транзисторов. В некоторых случаях наблюдается также изменение пробивных напряжений переходов и времени рассасывания накопленного заряда носителей тр. [39]
КР, а это особенно нежелательно при использовании транзисторов на достаточно высоких частотах. Кроме того, ряд транзисторов обладает небольшой величиной допустимого пробивного напряжения эмиттеряого перехода. [40]
Например, базовая область - диффузионная, а коллектор и эмиттер - сплавные. Диффузионно-сплавные транзисторы имеют большое значение f / кэнас и малые пробивные напряжения переходов кБОпроб и ЭБО проб но у них более высокая рабочая частота, чем у сплавных приборов. Транзисторы с большими рабочими токами ( до десятков ампер) и частотой несколько десятков мегагерц получают методом сплавления - диффузии, так как этот метод позволяет создавать приборы, превосходящие сплавные по частоте. [41]
В последнее время получили распространение логические схемы, подобные приведенной на фиг. Эта схема практически полезна при использовании транзисторных схем с заземленной базой и других транзисторов с низким пробивным напряжением перехода эмиттер-база. Кроме того, в этой схеме требуется небольшая мощность синхронизирующего импульса, и действие схемы вообще мало зависит от тока утечки диода и времени переключения. [42]
Однако характеристики транзистора изменятся не очень сильно, если этот излом несколько сместится в базовую область. С другой стороны, смещение излома в область коллектора недопустимо, так как при этом в районе перехода градиент распределения примеси окажется большим и пробивное напряжение перехода снизится. На рис. 8 - 4 показано три возможных распределения примесей в базе и в коллекторе ( вблизи перехода): идельное распределение, с отклонением в допустимую сторону и с отклонением в недопустимую сторону. [44]
Поэтому в проблемах, возникающих при создании высоковольтных транзисторов этих двух типов, много общего. Как и в случае сплавных транзисторов при создании высоковольтных транзисторов с диффузионными эмиттером ч коллектором выбор удельного сопротивления исходного полупроводника и толщины базовой области осуществляется таким образом, чтобы получить максимально возможные значения пробивного напряжения перехода коллектор - база и напряжения прокола. Для кремниевых транзисторов, полученных с помощью двусторонней диффузии, могут возникнуть опасения, что спад времени жизни в результате термообработки очень сильно ограничит максимальную толщину базы и, следовательно, допустимое напряжение. Эти величины времени жизни не дают, однако, возможности получить в диффузионных транзисторах такую же толщину базовой области, как в сплавных приборах. Тем не менее, по пробивным напряжениям кремниевые транзисторы с диффузионными эмиттером и коллектором не уступают кремниевым сплавным п-р - п транзисторам. Если, сравнить распределение примесей IB этих приборах ( см. рис. 2 - 10 и 2 - 15), то можно заметить, что в диффузионных приборах пространственный заряд коллекторною перехода может расширяться не только в базовую область, но и Б сторону коллектора. [45]
Страницы: 1 2 3 4