Пробивное напряжение - переход
Cтраница 2
Возникновение на поверхности кристалла обогащенного слоя приводит к уменьшению пробивных напряжений р-п перехода. [16]
В этих работах показано также, что в широких пределах пробивное напряжение пленарных переходов может регулироваться с помощью специальных металлических электродов, располагаемых на поверхности окис-ной пленки над пленарным переходом. [17]
 |
Структура ( а и эквивалентная схема ( б транзистора ИМС со скры. [18] |
В частности, для увеличения коэффициента инжекции эмиттера и повышения пробивного напряжения перехода эмиттер - база уровень легирования базовой области необходимо понижать. [19]
При дальнейшем повышении напряжения и по мере приближения его к пробивному напряжению перехода / 2 начинают увеличиваться токи составляющих транзисторов, ток / ко, а следовательно, и коэффициенты сн и а. При некотором значении напряжения на приборе, которое называется напряжением переключения UafK, происходит пробой перехода / г, сопровождающийся лавинообразным нарастанием токов обоих составляющих транзисторов и тока через прибор. [20]
При включении транзистора по схеме с общим эмиттером параметр определяется пробивным напряжением перехода. Максимальное значение напряжений дается для определенной температуры перехода. При повышении температуры предельные напряжения, как правило, уменьшаются. Для повышения надежности работ схемы используемые напряжения не должны превышать 70 % максимально допустимых значений. [21]
Для получения высокой выходной мощности МДП-транзистор должен иметь большой ток стока и высокое пробивное напряжение стокового перехода. Для получения большого тока, как вытекает из выражения (7.46), необходимы короткий широкий канал и малая толщина изолирующего слоя. [22]
Диффузия и дрейф протонов на поверхности полупроводника приводят к еще одному поверхностному эффекту - зависимости пробивного напряжения перехода от частоты приложенного к нему напряжения. [23]
Амплитуда коллекторных импульсов блокинг-генератора на полупроводниковых триодах может значительно превышать напряжение источника питания и ограничивается пробивным напряжением переходов. При напряжении коллектора порядка 10 в мощность выходных импульсов может иметь значения порядка 0 5 вт и выше. [24]
Граничное напряжение при отключенной базе UK3O регламентируемое ТУ, является по сути дела единственным параметром, соответствующим смыслу пробивного напряжения перехода коллектор - эмиттер. [25]
Общим для всех МНОП-ЗУ является необходимость использования сравнительно больших сигналов для записи информации, что в свою очередь вызывает дополнительные технологические трудности: обеспечение высоких пробивных напряжений р-п переходов и диэлектриков, а также высоких пороговых напряжений для паразитных транзисторов и низких для основных транзисторов. [26]
Механизм дает один из важных способов повышения коэффициента усиления по току ( при достаточно большом смещении на коллекторе), играя в то же время и чрезвычайно важную роль в определении пробивного напряжения переходов. Этот очень важный вопрос мы рассмотрим значительно подробнее несколько ниже ( в разд. [27]
В связи с тем, что подвижность основных носителей заряда в электронных полупроводниках в 2 - 2 5 раза выше, чем в донорных, то при одинаковом удельном сопротивлении полупроводник тг-типа относительно чище, и, следовательно, пробивное напряжение перехода, изготовленного из полупроводника тг-типа, выше пробивного напряжения перехода, изготовленного из полупроводника р-типа. В качестве акцепторного материала для германия наиболее широко применяется индий, а для кремния - алюминий. [28]
Создается многоэмиттерный транзистор одновременно с другими элементами схемы; поэтому параметры областей коллектора, базы и эмиттера у него те же, что и у обычного п-р - п транзистора: один и тот же концентрационный профиль, одинаковые удельные емкости и пробивные напряжения переходов. [29]
В связи с тем, что подвижность основных носителей заряда в электронных полупроводниках в 2 - 2 5 раза выше, чем в донорных, то при одинаковом удельном сопротивлении полупроводник тг-типа относительно чище, и, следовательно, пробивное напряжение перехода, изготовленного из полупроводника тг-типа, выше пробивного напряжения перехода, изготовленного из полупроводника р-типа. В качестве акцепторного материала для германия наиболее широко применяется индий, а для кремния - алюминий. [30]
Страницы: 1 2 3 4