Коллекторное напряжение

Cтраница 1

Коллекторное напряжение в конце регенеративной стадии является начальным значением при расчете длительности стадии восстановления. [1]

Коллекторное напряжение не может превосходить некоторое определенное значение, при котором ( как и в диодах) наступает лавинный или туннельный пробой смещенного в обратном направлении запорного слоя между базой и коллектором. Другой причиной, ограничивающей коллекторное напряжение, является зависимость толщины запорного слоя база - коллектор от напряжения. Согласно уравнению ( 83) толщина этого слоя при увеличении коллекторного ( обратного) напряжения возрастает и поглощает часть базовой зоны, пока, наконец, границы эмиттерного и коллекторного запорных слоев не сольются. В этом случае транзистор также становится неуправляемым. Последовательность, в которой проявляются оба эти эффекта, зависит от степени легирования базовой области. [2]

Семейство входных ( а и выходных ( б. [3]

Коллекторное напряжение, влияющее на положение входной статической характеристики, свидетельствует о наличии в транзисторе внутренней обратной связи. [4]

Коллекторное напряжение на первый каскад усилителя передачи подается постоянно. Второй каскад получает питание через контакт 3 - 4 реле РУУ. Диод Д2, шунтирующий нагрузку транзистора Т5, защищает его от кратковременных импульсов тока, возникающих в линейных проводах под влиянием грозовых разрядов. Замыкание импульса тока через обмотку 7 - 8 снизит также напряжение в обмотке 1 - 2 и тем самым защитит транзистор ТЗ усилителя приема. [5]

Балансный преобразователь частоты.| Схемы преобразователей, выполненные в виде отдельных функциональных узлов. [6]

Коллекторное напряжение на транзисторы Г2 и Т3 подается через среднюю точку выходного колебательного контура. В этом случае токи этих транзисторов it и t a, проходящие через контур, направлены встречно, а напряжение на выходе пропорционально их разности. При равенстве этих токов и синфазном их изменении выходное напряжение системы равняется нулю - система оказывается сбалансированной. [7]

Коллекторное напряжение uK1 закрытого транзистора равно почти - Ек ( точнее, uK1 - Ек Лю ю гДе Лю - неуправляемый тепловой ток транзистора; при достаточно малом RK величина Ato K много меньше Ек даже при самой высокой температуре в заданном температурном диапазоне и ик1 - Ек); коллекторное напряжение uK2 насыщенного транзистора Т2 близко к нулю. Напряжение Mg2 на базе транзистора Т2 также мало, конденсатор заряжен до напряжения, почти равного - Ек. [8]

Коллекторное напряжение устанавливается максимально высоким, но не выше пробивного напряжения транзистора при отрицательных пиках коллекторного напряжения. Для этого был выбран дрейфовый транзистор типа 2N384, сочетающий хорошие частотные свойства с весьма высокими номинальными значениями коллекторного напряжения и мощности рассеяния. [9]

Эквивалентные схемы полупроводникового диода. [10]

Исходное коллекторное напряжение, соответствующее режиму несущей частоты Екн, обычно выбирается равным или несколько ниже номинального для данного типа триода. [11]

Характеристика ( а, схемы замещения суммирующего усилителя 1МУ ( б и в и схема суммирующего усилителя выпрямителей якорной цепи на полупроводниках ( г. [12]

Коллекторное напряжение триггера, полученное от однотактното магнитного усилителя ЗМУ, снижается при скорости выше основной, приводя к ослаблению поля двигателя. Усилитель ослабления поля ЗМУ управляется формирующим устройством. [13]

Допустимое обратное коллекторное напряжение этого транзистора в схеме с общим эмиттером составляет 30 в. Следовательно, при Un 4 5 в неравенство ( 6 - 67) удовлетворено. [14]

Это коллекторное напряжение, умноженное на 1 47, принимаем в качестве остаточного напряжения в предельном случае. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5