Коллекторное напряжение

Cтраница 4

При снижении коллекторного напряжения до величины, меньшей напряжения базы, открывается коллекторный переход, что должно было бы повлечь за собой увеличение тока базы, но по условию он должен быть постоянным. [46]

Коэффициент формы коллекторного напряжения, как следует из гл. Именно этот режим будем считать целесообразным для обеспечения возможно большей линейности модуляционной характеристики. При отсутствии дополнительной емкости, включенной параллельно выходу транзистора, во временной зависимости коллекторного напряжения в области малых напряжений наблюдается некоторое уплощение [16, 17], что благоприятствует эффекту линеаризации модуляционных характеристик. [47]

Для симметрии коллекторных напряжений транзисторы шунтируются делителем, состоящим из резисторов R. [48]

Значение приращения коллекторного напряжения каждого из транзисторов схемы определяется коэффициентом усиления Киэ обычного каскада 03 без обратной связи, так как резистор Кэ не влияет на усилительные свойства транзисторов. [49]

Некоторые практические схемы импульсных переключателей. [50]

Это падение коллекторного напряжения прикладывается ( через цепь RC) к базе открытого триода и вызывает уменьшение его проводимости. Таким образом, коллекторное напряжение первоначально открытого триода начинает увеличиваться и помогает ранее закрытому триоду лучше проводить. Этот процесс продолжается до тех пор, пока состояние обоих кристаллических триодов изменится на взаимообратное. [51]

С ростом коллекторного напряжения величина тк также уменьшается. [52]

С повышением коллекторного напряжения при постоянном токе эмиттера ток коллектора изменяется незначительно. [53]

Рабочие точки транзистора в режиме в схеме с общим эмиттером. [54]

При повышении коллекторного напряжения коэффициент шума может существенно возрастать ( рис. 9 - 83 6), что связано с увеличением флюктуации тока утечки коллектора и предпробойными явлениями. [55]

Зависимость коэффициента шума транзистора от частоты. [56]

При повышении коллекторного напряжения коэффициент шума может сильно возрастать ( рис. 2 - 63 6), что связано с увеличением флуктуации утечки коллектора и предпробойными явлениями. [57]

Значение приращения коллекторного напряжения каждого из транзисторов схемы определяется коэффициентом усиления Киэ обычного каскада ОЭ без обратной связи, так как резистор R3 не влияет на усилительные свойства транзисторов. [58]

Кривые зависимости. [59]

Ск от коллекторного напряжения ( рис. 5.3 а); & ЖВ - эквивалентное сопротивление, зависящее от степени насыщения N и тока / щпах ( рис. 5.3 6); С3 - эмиттерная емкость. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5