Cтраница 3
Уменьшение коллекторного напряжения, обусловленное зарядом конденсатора С, вплоть до величины напряжения насыщения не вызывает значительного изменения коллекторного тока. Таким образом, заряд конденсатора С осуществляется постоянным током, и напряжение на нем растет линейно. [31]
Увеличение коллекторного напряжения до величины t / Kmax, иногда в несколько раз превышающей значение Е, может привести к пробою транзистора. В процессе восстановления ток намагничивания в этой схеме замыкается через диод Д, напряжение на котором мдпр-еод. Следует иметь в виду, что уменьшение напряжения на коллекторе запертого транзистора достигнуто ценой увеличения времени восстановления. [32]
Влияние коллекторного напряжения на время жизни практически отсутствует. [33]
Величины коллекторного напряжения и постоянной составляющей коллекторного тока выбирают либо из рекомендованных типовых режимов, либо определяют по коллекторным характеристикам, исходя из выбранного класса усиления, подобно тому как в ламповом усилителе определяют положение рабочей точки на семействе анодных характеристик. [34]
Показания коллекторного напряжения могут отсутствовать из-за выхода из строя индикаторного прибора 84 ( микроамперметр М-24, 100 мка), который в этом случае ремонтируется или заменяется. [35]
Линией максимального коллекторного напряжения дает рабочую точку для кристаллического трио-дя, вызывающего наибольшее коллекторное напряжение в схеме. Так как схема в обоих случаях остается неизменной, то обе рабочие точки должны лежать на одной и той же линии смещения, полученной проведением через обе рабочие точки прямой линии. Этот метод дает некоторую погрешность вследствие того, что в нем не учитывается влияние сопротивления R0 ( на коллекторную нагрузку. [36]
![]() |
Ключ с нелинейной обратной. [37] |
При достаточно больших коллекторных напряжениях диод заперт и цепь обратной связи отключена. [38]
Так как коллекторное напряжение равно ( 6 0 0 5) в, то величина - Ек выбирается - 6 в. Величины - Ut и i / 2 выбираются - 45 и 45 в соответственно. Принимая а 0 98, получаем, что ток / 2 должен быть приблизительно равен 2 / i20 ма. [39]
Так как коллекторное напряжение не остается постоянным при колебаниях тока в цепи коллектора. Действительно, например, при повышении температуры, а следовательно, при появлении тенденции к увеличению тока коллектора одновременно появляется тенденция к уменьшению напряжения на коллекторе и зависящего от него тока базы. Вследствие этого рабочая точка стремится возвратиться в первоначальное положение. [40]
![]() |
Схемы индивидуальной защиты полупроводниковых при. [41] |
Стабилитрон ограничивает коллекторное напряжение, при этом резко возрастает его ток, что приводит к увеличению падения напряжения на внешней нагрузке транзистора. [42]
![]() |
Двухкаскадный усилитель с параллельной обратной связью по току. [43] |
При этом коллекторное напряжение первого транзистора возрастет, что должно вызвать увеличение коллекторного тока второго транзистора. [44]
Коэффициент формы коллекторного напряжения легко стабилизируется при использовании ключевого или близкого к нему режима. Именно этот режим будем считать целесообразным для обеспечения возможно большей линейности модуляционной характеристики. При отсутствии дополнительной емкости, включенной параллельно выходу транзистора, временная зависимость коллекторного напряжения в области малых напряжений носит плоский характер. Эта область наиболее благоприятна с точки аре-ния линеаризации модуляционных характеристик. [45]