Полуволновое напряжение

Cтраница 1

Статическая характеристика пропускания оптического модулятора интенсивности. а - без напряжения смешения. б - с напряжением смешения. [1]

Полуволновое напряжение представляет собой важнейший параметр модулятора. [2]

Высокое полуволновое напряжение продольного линейного электрооптического эффекта при комнатной температуре в значительной степени определяется сильными нелинейными поляризационными характеристиками материала. Такое преобразование линейного электрооптического эффекта в квадратичный в области фазового перехода можно было бы связать с переходом кристалла в центросимметричную фазу, где линейные эффекты равны нулю, однако, согласно данным [6], кристаллы НБС не имеют центросимметричной фазы. Следует отметить, что линейный электрооптический эффект зависит от направления Р и в полидоменном кристалле может иметь место только квадратичный эффект. [3]

Амплитудная характеристика модулятора света. а - работа на нелинейном участке при Г, 0. б - работа на линейном участке при Г0 я / 2.| Интерференционные модуляторы света на основе интер.| Пленочный ( полноводный интерференционный модулятор света. [4]

Их полуволновые напряжения лежат в пределах от 90 В до 4 кВ, полосы частот модуляции от неск. [5]

Изменение полуволнового напряжения вдоль оси с кристалла после воздействия различных доз облучения приведено на рис. 4.46. Из приведенных данных следует, что освещение приводит к увеличению Fj. [6]

Схема электрооптического модулятора света.| Модуляционная характеристика. [7]

Под полуволновым напряжением понимается минимальное напряжение, необходимое для изменения коэффициента пропускания модулятора от минимального до максимального значения или изменения фазовой задержки на я радиан. [8]

Под полуволновым напряжением МС понимают минимальное напряжение, необходимое для изменения коэффициента пропускания модулятора от минимального до максимального значения. [9]

Экспериментальные значения полуволнового напряжения изменяются от 1250 до 1950 В. [10]

Для расчета продольного полуволнового напряжения при произвольном направлении распространения луча в кристалле необходимо знать не только величины электрооптических коэффициентов, но также и их знаки. Абсолютные величины этих коэффициентов обычно известны из литературы, однако информация об их знаках, как правило, отсутствует. Исключение составляют лишь ниобат лития [47] и танталат лития [48], для которых не только с большой точностью определены величины электрооптических коэффициентов, но и установлены их знаки. [11]

Типичный электрооптический амплитудный модулятор. Полная фазовая задержка Г является суммой фиксированной задержки смещения ( Гд т / 2, создаваемой четвертьволновой пластинкой, и задержки, возникающей в электрооптическом кристалле. Входной поляризатор параллелен оси х, а выходной - оси у. быстрая ось направлена вдоль х, а медленная - вдоль у. [12]

Заметим, что полуволновое напряжение пропорционально длине волны X и обратно пропорционально соответствующему электрооптическому коэффициенту. [13]

Из (8.1.21) видно, что полуволновое напряжение можно уменьшить, выбирая более длинные кристаллические образцы, что позволяет увеличить область взаимодействия. [14]

Основными параметрами, характеризующими МС, являются: полуволновое напряжение, полоса пропускания, полоса прозрачности, коэффициент контрастности. [15]

Страницы: 1 2 3 4