Полуволновое напряжение

Cтраница 3

При комнатной температуре диэлектрическая проницаемость увеличивается от & 100 при х 0 до 356 ддя х 0 46, тогда как максимум БС уменьшается с возрастанием концентрации Та. Полуволновые напряжения У / г этой серии кристаллов были измерены на излучении Не-Ne - лазера с К 0 633 мкм. Значения Fx / 2, а также критерий качества l / eF / 2 кристаллов разного состава представлены в табл. 6.16. Величина FV2 и критерий качества при х 0 33 имеют минимум п максимум соответственно. Максимальная величина критерия качества составляет 2 4 10 - 8 В-2, что в два раза выше, чем у K3Li2Nb5015 и в три раза выше, чем у НБН. [31]

Геометрия типичного поперечного электрооптического модулятора. [32]

Приведенные выше два примера показывают, что величина индекса ( или глубины) модуляции пропорциональна приложенному напряжению. Полуволновые напряжения прямо пропорциональны длине волны света и обратно пропорциональны электрооптическому коэффициенту. Для света в видимом диапазоне длин волн эти напряжения имеют величину порядка нескольких киловатт. Увеличение толщины пластинки приводит к увеличению длины взаимодействия, но и к уменьшению напряженности электрического поля. Следовательно, полное увеличение модуляции за счет увеличения толщины пластинки при продольной модуляции отсутствует. Для излучения ИК-диапазона из-за большой длины волны света ( скажем, 10 6 мкм) возникает необходимость в приложении высоких напряжений. Продольные модуляторы используются только тогда, когда требуются большие площади устройства и большое поле зрения. [33]

Для Bao 25Sr0 7sNb2Oe значение g33 было вычислено равным 0 14 м4 / Кл2 [35], что хорошо согласуется с экспериментальными данными других работ. Однако значения полуволнового напряжения, вычисленные на основе полученных коэффициентов, оказались аномально низкими, что, вероятно, связано с неупорядоченной структурой НБС, где Р, и ЕС меняются в объеме кристалла от ячейки к ячейке. [34]

Таким образом, наблюдаемое полуволновое напряжение может быть как больше, так и меньше F0, характеризующего полностью поляризованные кристаллы. Согласно [13] величина F0 для кристаллов ниобата бария-натрия составляет 1830 40 В и не зависит от их состава. [35]

Здесь на электроды адресуемого элемента подаются 0 и Уд, в то время как на неадресуемых элементах значения напряжений на парах электродов составляют 00 или VjiVn. Характерные параметры ПВМС следующие: полуволновое напряжение 330 В для состава ЭОК 9 / 65 / 35, время отклика 10 мкс, размер элемента 7 0X0 45 мм, ширина электрода 100 мкм. [36]

К графическому определению электрооптических коэффициентов и. [37]

В работе [6] были измерены полуволновое напряжение и электрооптический коэффициент г44 этих кристаллов. При комнатной температуре сегнетоэлектрик КТН принадлежит к тетрагональному классу симметрии опт. [38]

Необходимо отметить, что для твердых растворов НБС с низким содержанием бария ( 0 4) при комнатной температуре характерна неустойчивая доменная структура. В кристаллических элементах такая деполяризация увеличивает полуволновое напряжение при низкочастотных полях и изменяет фазовые соотношения в различных точках кристалла. [39]

Для выбранных материалов характерна повышенная электронно-возбужденная проводимость, вследствие чего стационарный потенциал, достигаемый при зарядке однородной кристаллической мишени, невелик-порядка 100 В. Этого недостаточно для эффективной модуляции светового потока, учитывая значения полуволнового напряжения 3900 В и 4800 В ( в геометрии продольного электрооптического эффекта) для Bil2Si020 и Bi ] 2GeO2o соответственно. Для устранения проводимости материалов предложено использовать диэлектрическое покрытие, например из двуокиси кремния, наносимое на облучаемую электронным пучком поверхность. При толщине покрытия, большей глубины проникновения первичных электронов, стационарный потенциал Мишени возрастает примерно вдвое. [40]

Взаимная ориентация внешнего приложенного поля Е0 и направления распространения световой волны К при наблюдении продольного ( а и поперечного ( 6. [41]

Очевидно, что оно различно для различных срезов кристалла. Однако в справочниках обычно указывается i / / 2 Для такого среза, где полуволновое напряжение минимально. При этом кристалл эквивалентен так называемой полуволновой пластине. Если на входе в кристалл луч света был поляризован вертикально, то на выходе из кристалла - горизонтально. При произвольном значении Дср06 поляризация на выходе оказывается эллиптической. [42]

Зависимость дифракционной эффективности модулятора ПРИЗ с ЭОП от пространственной частоты. [43]

Анализ показывает, что такая чувствительность близка к теоретическому пределу для ПВМС, в которых для модуляции считывающего света используется электрооптический эффект в кристаллах. Предельная чувствительность таких модуляторов, оцениваемая для пространственных частот, соответствующих разрешающей способности ПВМС, зависит только от произведения диэлектрической проницаемости электрооптического кристалла на его полуволновое напряжение. Хотя каждый из этих параметров в отдельности может значительно изменяться от кристалла к кристаллу, их произведение для подавляющего большинства кристаллов остается в пределах порядка величины. В такой ситуации решением проблемы увеличения чувствительности электрооптических ПВМС может быть применение усилителя яркости записываемых изображений. [44]

Наблюдаемые эффекты являются результатом ориентации ( переориентации) в электрическом iicwie вектора поляризации доменов. Как следствие этого, происходит ориентация ( переориентация) оптических осей в керамических зернах-кристаллитах. Требуемые для этого полуволновые напряжения не превышают сотен вольт, что наряду с низкой стоимостью изготовления керамики выдвигает ее в ряд перспективных для ПВМС материалов. [45]

Страницы: 1 2 3 4